东南大学电子工程物理基础(4-1)2016方案.ppt

补充作业： 1．掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和磷的浓度。 2．求室温下掺锑的n型硅，使EF＝(EC＋ED)/2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。已知 教材p.162，15.一块补偿硅材料，已知掺入受主杂质浓度NA=1×1015cm-3,室温下测得其费米能级位置恰好与施主能级重合，并测得热平衡时电子浓n0=5×1015cm-3 。已知室温下硅本征载流子浓度ni=1.5×1010cm-3。 试问： （1）热平衡时空穴浓度为多少？ （2）掺入材料中的施主杂质浓度为多少？ （3）电离杂质中心浓度为多少？ （4）中性杂质中心浓度为多少？ * * * （2） Acceptor (受主杂质) p型半导体 Ⅳ族元素硅、锗中掺Ⅲ族元素,如硼（B）: *从si的共价键平面图看: Al13:1S22S22P63S23P1 Si14:1S22S22P63S23P2 电离 B5:1S22S22P1 *从Si的电子能量图看: 结论: 硼杂质在硅、锗中电离时，能够获取电子而产生导电空穴并形成负电中心。这种杂质称受主杂质 。掺受主杂质后，价带中的导电空穴增多，增强了半导体的导电能力。主要依靠价带空穴导电的半导体称p型半导体。 n0 p0 电中性关系： 半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，它们之间有相互抵消的作用——杂质补偿作