第5章半导体器件三极管2006秋(免费阅读).pptVIP

IB UBE 0 UCE ≥ 1V 1. 三极管的输入特性 IB = f (UBE ) UC E = 常数 5.4.3 三极管的特性曲线 第5章 5.4 死区电压 25° C 75° C 硅死区电压0.6~0.7 锗死区电压0.2~0.3 IB =40μA IB =60μA UCE 0 IC IB增加 IB 减小 IB = 20μA IB = 常数 IC = f (UCE ) 2. 三极管的输出特性 第5章 5.4 IC / mA UCE /V 0 放 大 区 三极管输出特性上的三个工作区 IB= 0 μA 20μA 40 μA 截止区 饱和区 60 μA 80 μA 第5章 5.4 5.4.4 三极管的主要参数 1. 电流放大系数 (1) 直流电流放大系数 (2) 交流电流放大系数 ? = ? IC ? IB 2. 穿透电流 ICEO 3. 集电极最大允许电流 ICM 4. 集--射反相击穿电压 U(BR)CEO 5. 集电极最大允许耗散功率 PCM 极限参数 使用时不允许超过! 第5章 5.4 ? = IC IB 60μA 0 20μA 1.5 2.3 在输出特性上求 ? , ? ? = IC IB = 1.5mA 40μA = 37.5 ? = IC IB = 2.3–1.5(mA) 60 –40(μA) = 40 设UCE=6V, IB由40μA加为60μA 。 第5章 5.4 IC / mA UCE /V IB =40μA 6 0 IB= 0 μA 20μA 40 μA 60 μA 80 μA 由三极管的极限参数确定安全工作区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 PCM曲线 第5章 5.4 IC / mA UCE /V ICEO ICM U(BR)CEO * * 第5章 半导体器件 5.2 半导体二极管 5.3 稳压管 5.4 双极型晶体管 5.5 场效应晶体管 5.6 集成电路与晶闸管 第5章 目录 5.1 半导体的基础知识 在热力学温度零度 和没有外界激发时, 本征半导体不导电。 把纯净的没有结构缺陷的半导体单晶 称为本征半导体。 它是共价键结构。 本征半导体的共价键结构 硅原子 价电子 第5章 5.1 5.1.1 本征半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 5.1 半导体的基础知识 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 本征激发 复合 在常温下自由电子和空穴的形成 成对出现 成对消失 第5章 5.1 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 外电场方向 空穴导电的实质是共价键中的束缚电子依次填补空穴形成电流。故半导体中有电子和空穴两 种载流子。 空穴移动方向 电子移动方向 在外电场作用下， 电子和空穴均能 参与导电。 价电子填补空穴 第5章 5.1 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 5.1.2 N半导体和P型半导体 1.N型半导体 在硅或锗的晶体 中 掺入少量的 五价元 素,如磷, 则形成N型半导 体。 磷原子 +4 +5 多余价电子 自由电子 正离子 第5章 5.1 N 型半导体结构示意图 少数载流子 多数载流子 正离子 在N型半导中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。 第5章 5.1 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 2. P型半导体 在硅或锗的晶体中 掺入少量的三价元 素,如硼,则形成P 型 半导体。 +4 +4 硼原子 填补空位 +3 负离子 第5章 5.1 P 型半导体结构示意图 电子是少数载流子 负离子 空穴是多数载流子 第5章 5.1 P 区 N 区 5.1.3 PN 结的形成 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上,形成 P型半导体区域 和 N型半导体区域,在这两个区域的交界处就形成了一个PN 结。 N区的电子向P区扩散并与空穴复合 P区的空穴向N区扩散并与电子复合 空间电荷区 内电场方向 第5章 5.1 多子扩散 少子漂移 内电场方向 空间电荷区 P 区 N 区 在一定的条件下，多子扩散与少子漂移达到动态平衡， 空间电荷区的宽度基本上稳定下来。