第5讲pn结(免费阅读).pptVIP

* * * * 固体电子学基础 II 姜胜林 华中科技大学电子系教授，博士生导师 西七楼309室，Tel:Email: jsl@hust.edu.cn 2007年 1 半导体中的电子状态 3 载流子输运 4 非平衡载流子 5 p－n结 6 半导体表面与MIS结构 7 金属和半导体的接触 9 半导体的热电性质 8 异质结 2 半导体中载流子的统计分布 40学时 本章内容提要 p-n结及其能带图 p-n结伏安特性 p-n结电容 p-n结击穿 p-n结隧道效应 5 p-n结 同一种半导体材料n、p型样品接触 p-n 结 电流电压特性 电容效应 击穿特性 晶体管、集成电路的心脏 p-n结定义：p型半导体和n型半导体结合的交界面。 基本结构示意图 缓变结：从一区域到另一个区域杂质浓度是逐渐变化的（扩散法 ） 突变结杂质分布(合金结、高表面浓度的浅扩散结) 缓变结杂质分布（低表面浓度的深扩散结） 突变结：p、n区杂质均匀分布，两侧杂质类型及 浓度突然变化（合金法或离子注入法 ） 电 场 电位分布 能带图 杂质分布 突变p-n结 线性缓变p-n结 多子扩散和少子漂移达到动态平衡 5.1 p-n结空间电荷区及能带图 1.空间电荷区 浓度差 多子的扩散运动 形成空间电荷区 形成内建电场 促使少子漂移阻止多子扩散 形成扩散电流 并增加空间电荷区的宽度 平衡时 平衡p-n结 多子的扩散运动 少子的漂移运动 形成漂移电流 并减小空间电荷区的宽度 空间电荷区的宽度也达到稳定，电流为零 内建电场： 空间电荷区中的正、负电荷间产生的电场，其方向由n区指向p区。 平衡p-n结： 载流子在内建电场的作用下，漂移运动和扩散运动相抵时，所达到 的动态平衡（p-n结的净电流为零）。 + + + + + + - - - - - - 空间电荷区 内建电场 2.p-n结能带图 平衡p-n结的能带图 n区 费米能级高 p区 费米能级低 电子 空穴 EFn下移 EFp上移 统一的费米能级 内建电场 整个能带移动 3.p-n结接触电势差 平衡p-n结中电势和电势能 VD的影响因素 两式相除并取对数： 在非简并情况下近似有 n区电子平衡浓度： p区电子平衡浓度： VD与ND、NA、T、材料(ni)有关 4.p-n结的载流子分布（采用求平衡态导电电子浓度类似的方法） 平衡p-n结中的载流子分布 玻耳兹曼分布 势垒区载流子浓度比n区和p区的多数载流子浓度小得多，也称为耗尽层。 利用两公式计算：势垒高度为0.7eV,势垒区内电势能比n区 导带底Ecn高 0.1eV处载流子浓度。 如何求？ 5.2 p-n结伏安特性 1.非平衡状态下的p-n结 (1)外电压下p-n结势垒的变化及载流子的运动 正反偏压时势垒变化 正向偏压(如何分布) 与内建电场相反 势垒区电场 宽度 高度 扩散大于漂移 p’ p n’ n n区空穴扩散流与n区电子复合 空穴积累 正向偏压下载流子分布 如何变化的？ 代表什么？ 扩散大于漂移 n区电子通过势垒区流入p区 p区空穴通过势垒区流入n区 非平衡少数载流子的电注入 电子积累 p区电子扩散流 与p区空穴复合 p区空穴 p区电子 n区电子 n区空穴 扩散区 p’ n’ p n p区空穴向pp’漂移 n区电子向nn’漂移，越过势垒区，经pp’进入p区，电子扩散电流 电子电流在扩散区通过复合作用转为空穴电流 n区电子向nn’漂移 p区空穴向pp’漂移，越过势垒区，经nn’进入n区，空穴扩散电流 空穴电流在扩散区通过复合作用转为电子电流 正向p-n结电流分布 p n p’ n’ 正向总电流：通过边界pp’的电子扩散电流和nn’的空穴扩散电流 (假定通过势垒区的电子电流和空穴电流均保持不变的情况下，无复合) 空穴（扩散）电流 电子（扩散）电流 (2)外加直流电压下p-n结能带图（非平衡少数载流子影响） 正向偏压下p-n结的费米能级 空穴扩散区 电子浓度高，EFn变化小 空穴浓度小，EFp变化大 势垒区变化 忽略不计（实际呢） 电子扩散区 空穴浓度高，EFp变化小 电子浓度小，EFn变化大 EFn-EFp=qV 反向偏压时势垒变化 反向偏压 与内建电场相同 势垒区电场 宽度 高度 漂移大于扩散 说明：反向偏压下的情况如何，与正偏时有何异同？ p’ p n’ n p区空穴 p区电子 n区空穴 n区电子 n区的空穴抽取 n区产生空穴 n区空穴扩散流 漂移大于扩散 n区空穴通过势垒区驱