(第九章)工艺集成讲述.ppt

第九章 集成电路制造工艺集成 9.1 引 言 工艺集成 前面第二～八章分别介绍了氧化、扩散/离子注入、淀积、光刻、刻蚀、金属化以及化学机械抛光，这些都是单项工艺，这些单项工艺的组合称为工艺集成。 不同的工艺集成形成了不同的集成电路制造技术。 硅片制造厂的分区 硅片制造厂分成6个独立的生产区：扩散（包括 氧化、热掺杂等高温工艺）、光刻、刻蚀、薄膜（包括APCVD、 LPCVD、 PECVD、溅射 等）、离子注入和抛光（CMP）。 CMOS简要工艺流程 CMOS简要工艺流程（续） CMOS简要工艺流程（续） 9.2 先进的0.18μm CMOS集成电路工艺技术 1. 双阱工艺 2. 浅槽隔离工艺 3. 多晶硅栅结构工艺 4. 轻掺杂漏（LDD）工艺 5. 侧墙形成工艺 6. 源/漏（S/D）注入工艺 7. 接触形成工艺 8. 局部互连工艺 9. 通孔1和金属塞1的形成 10. 金属1互连的形成 11. 通孔2和金属塞2的形成 12. 金属2互连的形成 13. 制作金属3直到制作压点及合金 14. 参数测试 1. 双阱工艺 N阱的形成步骤 1. 外延生长：φ8英寸、P－外延/P＋衬底、外延层厚 度约5.0μm、片厚约2.0mm 2. 薄氧氧化：厚度150? 作用 ①表面保护以免沾污②减小注入损伤③有助于减轻注入沟道效应 3. 第一次光刻：光刻N阱注入区，不去胶，光刻胶阻挡注入。 4. N阱磷注入（连续三次）：①倒掺杂注入以减小CMOS器件的闭锁效应，能量高200KEV、结深1.0μm左右②中等能量注入以保证源漏击穿电压③小剂量注入以调整阈值电压。 5. 退火 作用①杂质再分布②修复注入损伤③注入杂质电激活 P阱的形成步骤 1. 第二次光刻（用N阱的反版）：光刻P阱注入区，不去胶。 2. P阱硼注入（连续三次） ：①倒掺杂注入以减小CMOS器件的闭锁效应，结深1.0μm左右②中等能量注入以保证源漏击穿电压③小剂量注入以调整阈值电压。 3. 退火 作用同“N阱的形成”。 形成N阱和P阱的工艺目的：确定PMOS和NMOS管的有源区（即源区、栅区和漏区）。 2. 浅槽隔离工艺 局域氧化LOCOS隔离的缺点 ①LOCOS隔离技术存在鸟嘴，浪费有源区面积影响集成度 ②横向尺寸不能精确控制。 2. 浅槽隔离工艺 浅槽隔离STI（Shallow Trench Isolation）工艺目的：把硅片上的各个晶体管进行电隔离。 STI槽刻蚀步骤 1. 薄氧生长：厚度150? 作用：在去掉上面氮化硅时保护有源区以防被腐蚀。 2. 氮化硅淀积：LPCVD淀积，作用：做CMP的阻挡层，保护有源区免受CMP的过度抛光 3. 第三次光刻：光刻浅槽隔离区 4. STI槽刻蚀：RIE刻蚀，槽深1.0μm左右 STI氧化物填充步骤 1. 沟槽衬垫氧化硅生长：厚度150? 作用：改善硅与沟槽填充氧化物之间的界面特性。 2. 沟槽CVD氧化物填充：LPCVD方法 STI氧化层抛光－氮化物去除步骤 1. 沟槽氧化物抛光CMP 2. 氮化硅去除：热磷酸煮 3. 多晶硅栅结构工艺 该工艺是工艺流程中的最关键工艺！！因为①它包括最薄、质量最好的栅氧化层的热生长！②多晶硅栅的线宽是整个硅片上的特征尺寸！ 1. 栅氧化层的生长：厚度20～50? ，形成MOS管的栅电极介质 2. 多晶硅淀积：LPCVD法，厚度5000? 多晶硅掺杂：也可以原位掺杂，作用：形成导电的栅电极 3. 第四次光刻：光刻多晶硅栅，DUV深紫外步进式光刻机曝光，多晶硅上涂抗反射层（ARC），随后进行特征尺寸、套刻精度、缺陷等质量检查。 4. 多晶硅栅刻蚀：用最好的RIE刻蚀机，保证垂直的侧壁 注意：从栅氧生长到多晶硅要连续进行以免硅片沾污等其它问题 4. 轻掺杂漏（LDD）工艺 轻掺杂漏（LDD）工艺目的：减小源漏间的穿通和沟道漏电，提高源漏击穿电压。 1. 第五次光刻：光刻N－LDD注入区，不去胶。 2. N－LDD注入：低能量注入As，As的作用①分子量大利于表面非晶化，②慢扩散杂质在后续的热处理中利于维持浅结 P－轻掺杂漏注入步骤 1. 第六次光刻：光刻P－LDD注入区，不去胶 2. P－LDD注入：低能量注入BF2， BF2的作用①比硼的分子量大利于表面非晶化，②比硼的扩散系数低在后续的热处理中利于维持浅结 5. 侧墙形成工艺 侧墙工艺目的：侧墙用来环绕多晶硅栅侧壁掩蔽大剂量的S/D注入以免其接近沟道导致源漏穿通。 1. 淀积二氧化硅：LPCVD法，厚度1000? 2. 二氧化硅反刻 6. 源