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航天772所高校专项科研计划2013年度招标项目指南（简版） 目录 一、项目指南 1 1.1 基于SoPC芯片的微纳卫星综合电子系统设计与测试技术 1 1.2 基于8位微控制器的全数字DC/DC模块的设计 2 1.3 ESD设计技术研究 3 1.4 1Gbps~2.5Gbps 高速Serdes电路研究 4 1.5 SpaceWire总线应用开发环境设计 5 1.6 星载异构多核可重构SoC集成开发环境设计 6 1.7 SPARC V8处理器仿真模型接口设计及验证 7 1.8 倒装焊陶瓷封装可靠性评估及检测 8 1.9 低照度微光探测器 9 1.10 高帧频CMOS相机图像采集处理技术 10 1.11 FPGA测试向量开发自动化技术 11 1.12 伪距定位算法研发 12 1.13 高精度载波相位定位算法研究 13 1.14 基于硅基技术的射频功率放大器（RFPA）设计 14 二、特别声明 15 三、联系方式 15 一、项目指南 1.1 基于SoPC芯片的微纳卫星综合电子系统设计与测试技术 1.1.1研究内容 该项目面向微纳卫星综合电子应用，兼容 CubeSat、NanoSat标准卫星接口低轨应用，基于国产SoPC芯片研发兼容CubeSat架构的微纳卫星综合电子系统及其配套软件。研究内容包括： 基于SoPC芯片计算机板设计、调试； 操作系统及其BSP移植； 多传感器融合控制算法研制和移植； 搭建演示系统及其系统测试。 注：此项目甲方可提供相关硬件模块和软件环境。 1.1.2成果形式 计算机板 控制软件C语言源码和matlab仿真环境 实验演示系统 设计文档、使用手册、实验报告、论文 1.1.3技术指标 SPARC V8处理器内核 控制软件姿态定位精度（二维定位精度10m; 高程精度12m; 三轴指向精度：10） 尺寸、重量符合详版要求 1.1.4研制周期和课题经费 研制周期：2年。 课题经费：35万元。 1.2 基于8位微控制器的全数字DC/DC模块的设计 1.2.1研究内容 依托于我所8位微控制器、ADC转换器、模拟开关和功率驱动器件，研究全数字DC/DC的基础部分拓扑结构和核心部分控制器，形成一套完整的全数字DC/DC解决方案。研究内容包括： 全数字DC/DC的拓扑结构； 核心控制器的体系结构和算法； 全数字DC/DC模块的演示实验板。 1.2.2成果形式 序号 文档 代码 演示环境 1 成果物清单 核心控制器代码 全数字DC/DC模块功能演示板 2 项目工作报告 验证环境及激励代码 3 验证测试报告 其他代码 1.2.3技术指标 输入电压：28V 输出电压：单路输出，+5V 输出功率：5W 输出输入隔离：是 输出纹波：50mVp-p 效率：90% 过压保护：额定输出电压以上±10% 上电过冲：5%额定电压，单调上升 输出电压：可调节 1.2.4研制周期和课题经费 研制周期：2年。 课题经费：20万。 1.3 ESD设计技术研究 1.3.1研究内容 CMOS集成电路高压输入ESD防护技术 基于指定工艺，可保证80 PIN 芯片2000V ESD（HBM）通过的保护结构。 多电压域混合信号SoC全芯片ESD设计技术 基于指定工艺，针对三个（含）以上domain域的ESD设计技术研究，解决嵌入式模拟IP隔离引起的多个（三个以上）电压域之间的全芯片ESD减弱问题。 器件级、电路级ESD仿真技术研究 基于指定工艺，针对不同结构的有效器件与电路，开发ESD仿真环境，建立ESD仿真模型，掌握ESD仿真方法，达到可预先评估ESD设计水平的目的。 1.3.2成果形式 序号 文档 版图及模型 1 成果物清单 器件及电路级ESD模型 2 项目工作报告 多电压域ESD设计结构原理图、版图 3 ESD建模方法及仿真流程 高压输入端口ESD设计结构原理图、版图 4 多电压域ESD设计文档 5 高压输入端口ESD防护文档 1.3.3技术指标 研究内容 技术指标 高压输入端口ESD防护技术 输入正负10V，电源电压3.3V 80 PIN全芯片测试HBM：2000V ESD仿真技术 器件级仿真结果与测试电路测试结果误差小于20% 电路级仿真结果与实测结果误差小于200V 多电压域ESD设计技术 三个（含）以上电压域600 PIN SOC ESD 2000V（HBM） 1.3.4研制周期和课题经费 研制周期：2年。 课题经费：20万。 1.4 1Gbps~2.5Gbps 高速Serdes电路研究 1.4.1研究内容 本课题的研究对象为8b/10b Serdes，工作频率1Gbps~2.5Gbps，工作电压