第3章微电子概论IC制造工艺..ppt

第3章 IC制造工艺 集成电路的核心是半导体器件 包括：电阻 电容 电感 二极管 三极管 结型场效应晶体管 MOS场效应晶体管....... 不同类型的半导体区域和它们之间一个或多个PN结组成 1950年，合金法制备的晶体管即合金管 1955年，发明扩散技术，扩散能够精确控制 氧气法氧化 高温下，硅与水汽和氧气发生如下反应： 固固扩散 固固扩散 预沉积 预扩散 表面恒定源的扩散过程。 控制硅片表面的杂质总量 再分布 表面限定源扩散过程。 主要用来控制结深 § 3.4 离子注入掺杂方法 ? 注入的离子是通过质量分析器选出的，纯度高，能量单一， 掺杂纯度不受杂质源纯度的影响。 ? 同一平面内的杂质均匀度可保证在±1％的精度。 ? 控制离子束的扫描范围，选择注入，无掩膜技术。 ? 注入深度随离子能量的增加而增加，精确控制结深。 ? 注入不受杂质在衬底材料中溶解度限制，各种元素均可掺杂。 ? 注入时衬底温度低，可避免高温扩散所引起的热缺陷，横向效应比热扩散小得多。 ? 可控制离子束的扫描区域。 离子注入机 离子注入机工作原理 什么是掩膜？ 掩膜是用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600?800nm厚的Cr层，使其表面光洁度更高，称之为铬版（Cr mask）。 X射线制版 电子束扫描法（E-Beam Scanning） 电子束制版三部曲 光刻的基本原理： 利用光敏的抗蚀涂层（光刻胶）发生化学反应，结合刻蚀方法在各种薄膜上生成合乎要求的图形，一实现选择掺杂、形成金属电极和布线或表面钝化的目的。 ? 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光部分发生光分解反应可溶于显影液，未感光部分显影后仍然留在晶片表面。 ? 负性光刻胶未感光部分溶于显影液中，感光部分显影后仍留在基片表面。 涂光刻胶的方法 光刻胶通过过滤器滴入晶圆中央，被真空吸盘吸牢的晶圆以2 000?8 000r/min的高速旋转，从而使光刻胶均匀地涂在晶圆表面。 ? 干法刻蚀 ? 用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。借助辉光放电用等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区。 ? 是各向异性刻蚀技术，在被刻蚀区域内，各方向上刻蚀速度不同。 ? Si3N4、多晶硅、金属及合金材料采用干法刻蚀技术。 曝光方式 接触式曝光方式的图象偏差问题 掩膜和晶圆之间实现理想接触的制约因素 接触式曝光方式的掩膜磨损问题 掩膜和晶圆每次接触产生磨损，使掩膜可使用次数受到限制。 非接触式曝光 缩小投影曝光系统 外延：指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。 ? 新生单晶层的晶向取决于衬底，由衬底向外延伸而成，故称“外延层”。 ? 外延生长通过控制反应气流中的杂质含量可方便调节外延层中的杂质浓度，不依赖于衬底中的杂质种类与掺杂水平。 ? 外延与隔离扩散相结合，可解决双极型集成电路元器件间的隔离问题。 IC中最常用的硅外延工艺.用加热提供化学反应所需的能量（局部加热）。 在集成电路制造中，金属层的功能： 形成器件间的互连线； 制备器件表面上的电极。 典型N阱CMOS工艺流程 N阱的生成 有源区的确定和场氧氧化 生长栅氧化层和生成多晶硅栅电极 形成P沟MOS晶体管 形成N沟MOS晶体管 引线及后续工艺 N阱的生成 有源区的确定和场氧氧化 生长栅氧化层和生成多晶硅栅电极 形成P沟MOS晶体管 形成N沟MOS晶体管 3. 集电极扩散隔离 集电极扩散隔离-集电极的引出区同时也作为隔离区使用，减少隔离所需的面积。 缺点 集电结的击穿电压较低 P-衬底 P 外延 基区 N+埋层 集电区 N+ 隔离 N+ 隔离 N + 发射区 P 二. 双极集成电路的介质隔离 介质隔离 SiO2形成隔离岛 1. 标准SiO2—多晶硅介质隔离 N硅衬底?氧化SiO2层上蒸铝?隔离光刻?隔离槽?去SiO2 ? N+埋层扩散?氧化SiO2层?生长多晶硅（衬底）?磨多晶硅露出SiO2层，形成被SiO2介质包围的隔离N型岛。 SiO2 N硅 Al N硅衬底 SiO2 N+ SiO2 多晶硅 多晶硅 N+ SiO2 MOS电路： 同一衬底但不同导电类型MOS管间是自然隔离， 因MOS管都是在导电类型相反的硅材料上制成 如：同一硅衬底上的 N-MOS 和P-MOS 互补型CMOS也是如此。 三. MOSIC中的隔离 N衬底上的两个PMOS管 N P+ P+ P+ P+ 场氧化层 N衬底