第一章52通信光电子器件激光器.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 分布反馈（DFB）激光器 以Bragg光栅结构进行光反馈 光栅结构制作在限制层中 光栅结构制作在限制层中 单纵模激光器-分布反馈激光器 * DFB激光器与普通激光器的对比 DFB激光器的光谱宽度大约为普通型激光器的1/10左右 色散的影响大为降低，可以实现速率为10Gb/s的超高速传输 * 激光器的输出发散角 典型值： 折射率波导型激光器的有源区近似为矩形，厚度、宽度都很小，出光的发散角很大 一般情形下水平和垂直方向的发散角为 一般采用将光纤的耦合端面制成半球形或锥形，或采用微透镜技术来提高半导体激光器与光纤的耦合效率 * 其他类型的半导体激光器 垂直腔面发射激光器（VCSEL：Vertical-cavity surface-emitting laser） 谐振腔的腔镜由折射率不同的物质层交错堆积而成 每层厚度是 纵向腔长很小，纵模间隔大，容易实现单模 * 优点 输出光束为圆形，易与光纤耦合 平面的几何形状，尺寸很小，易于在单片芯片上实现二维激光器阵列 阈值低，腔长短，反应时间短，调制速率可达很高（本征调制带宽可达200GHz） 缺点 最大功率有限 目前只有辐射波段位于850nm和980nm的技术成熟 垂直腔面发射激光器 * 半导体LD制作工艺 基本工艺： 衬底的制备 外延生长P-N结 VPE (Vapor Phase Epitaxy) LPE (Liquid Phase Epitaxy) MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) MBE (Molecular Beam Epitaxy) CBE (Chemical Beam Epitaxy) 有源区刻蚀 电流注入通道制备 欧姆接触电极制备 管芯解理 耦合封装 * 封装后的半导体激光器的外观 * 半导体激光器的可靠性 目前商用化半导体激光器目标寿命达106小时数量级 性能退化主要原因： 管芯极小，工作电流密度和光功率密度很高 半导体激光器的镜面是用解理工艺形成的，镜面本身受到环境条件影响而污染 …… 性能退化主要表现： 镜面损伤造成的灾变损害——光学损伤 运行时间延长后工作特性的缓慢劣化 阈值电流密度加大，微分量子效率降低 光电流特性扭折，光束质量变差…… * 半导体发光二极管 LED LED（Light Emitting Diode） 没有谐振腔，不构成激光振荡，无阈值； 相当于自发辐射的放大，非相干光，宽光谱，但优于自然光； 结构简单，正偏异质P-N结构成，寿命长，价格低； 用于短距离，低速率光通信系统中！ * LED的基本原理 LED与普通二极管的差别 电子空穴复合过程中能量的释放方式不同 LED：发光——辐射复合 普通二极管：放热——非辐射复合 * SLED：Surface-Emitting LED，由双异质结构成 发射面积限定在一个小区域内 利用腐蚀的方法在衬底材料正对有源区的地方腐蚀出凹陷的区域 面发光二极管输出的功率较大，注入100mA电流，输出光功率可达几个毫瓦 面发光二极管（SLED） * 面发光二极管（SLED） 缺点：光发散角大，水平和垂直发散角都可达到120°，与光纤的耦合效率低 提高光纤接收效率的方法： 在凹陷的区域注入环氧树脂，并在光纤末端放置透镜或形成球透镜 * ELED的结构 边发光二极管（ELED） * ELED与光纤的耦合 * LED的工作特性 光谱特性 * 光电流（L-I） 特性 噪声特性 面发射LED：纯粹的自发辐射，无相干性，无方向性 边发射LED：放大的自发辐射，具有部分相干性和方向性 LED的工作特性 强度调制(直接调制) LED的工作特性 数字调制 模拟调制 LD与LED特性的对比 光谱特性 出光功率 光电流特性 响应速度 相干性 可靠性 价格 适用场合 LD 光谱窄，受色散影响小 较高，在mW量级 易受温度影响，动态范围小 较快，易于进行高速调制 好 易损坏，使用寿命短 较昂贵 适用于长距离、大容量系统 LED 光谱很宽，可达100nm以上，受色散影响大 较低，在nW量级 温度特性好，动态范围大 较慢，只适用于调制频率较低的情况 差 不易损坏，可靠性高 较便宜 适用于近距离，中小容量系统 * 小结 产生激光的三个基本条件 泵浦，增益介质，光学谐振腔 半导体激光器(LD） 工作原理——正向偏置的P-N结+谐振腔 结构和类型——双异质结激光器，光场和载流子的限制作用提高 纵模的概念 常用的单纵模