微细加工与MEMS技术-8-光刻胶.pptVIP

* 第 8 章 光刻胶 一、光刻胶的类型 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为 负性光刻胶，简称 负胶。 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以降解反应为主的光刻胶称为 正性光刻胶，简称 正胶。 8.1 光刻胶的类型 光刻胶也称为 光致抗蚀剂（Photoresist，P. R.）。 1、灵敏度 灵敏度的定义 单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量或最小电荷量（对电子束胶），称为光刻胶的灵敏度，记为 S ，也就是前面提到过的 D100 。S 越小，则灵敏度越高。 通常负胶的灵敏度高于正胶。 灵敏度太低会影响生产效率，所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。 8.2 光刻胶的特性 灵敏度曲线（对比度曲线） 1.0 0.5 0 D0 入射剂量（C/cm2） 未反应的归一化膜厚 D100 2、分辨率 下面讨论分辨率与灵敏度的关系。当入射电子数为 N 时， 由于随机涨落，实际入射的电子数在 范围内。为保证 出现最低剂量时不少于规定剂量的 90%，也即