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- 2016-12-19 发布于广东
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16.2 只读存储器ROM 16.2.1 ROM的结构和工作原理 16.2.2 ROM的分类 16.2.3 ROM的应用 16.2.1 ROM的结构和工作原理 图16.2.2是一个说明ROM结构和工作原理的电路, ROM矩阵的存储单元是由N沟道增强型MOS管构成的, MOS管采用了简化画法。它具有2位地址输入码,即: 4条字线W0、W1、W2、W3; 有4位数据输出,即4条位 线D0、D1、D2、D3; 共16 个存储单元。 地址译码器相当于最小项译码器,如下图所示,其输入A1、A0称为地址线。二位地址代码A1A0能给出4个不同的地址。每输入一个地址,地址译码器的字线输出W0~W3中将有一根线为高电平,其余为低电平。即每一个输出对应一个最小项。 当字线W0~W3某根线上给出高电平信号时,都会在位线D3~D0四根线上输出一个4位二进制代码。输出端的缓冲器不但可以提高带负载能力,还可以将输出的高、低电平变换为标准的逻辑电平。如果作为输出缓冲器的反相器是三态门,还可以通过使能端实现对输出的三态控制 。 右图中的4×4=16个存储单元,即跨接在字线和位线上的MOS管,MOS管的栅极接字线,源极接地。 MOS管是否存储信息用栅极是否
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