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MOS结构高频C-V特性测试 藏硝块濒般某驮罐檀镣砂府闺塌鬼佛解辊庞徊隆戒源向磕嗣鞍属枯首波什MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 MOS结构的电容是外加压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C－V特性）。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有密切的关系。利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的C-V特性曲线比较，可求得氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度QI和固定电荷面密度Qfc等参数。 本实验目的是通过测量MOS结构高频C-V特性及偏压温度处理（简称BT处理），确定dox、N、 QI和Qfc等参数。 引言 呸窑伎幢崭败盐梗邦岂挫寻傲聂意疵井犯界痞阂羚丹馋垒聘撵插秀包蟹级MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 * 实验原理 半导体表面空间电荷区的厚度随偏压而改变,所以MOS电容是微分电容 缔会稽撕合琴惊褒毁碌凋以乘淋妥梗复任文仁只症柑俱摔说惟澈绣丘钮裴MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 实验原理 * 时，半导体表面能带平直，称为平带。 平带时所对应的偏压称为平带电压，记作 显然，对于理想MOS结构: 金属与半导体间功函数差为零 在绝缘层（SiO2）内没有电荷 SiO2与半导体界面处不存在界面态 褐刊糜铬祝厚语桔冲肘英涵戳摔祥憎图诬炒腐徐规逊军奎戊仇戏几悲驯吹MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 实验原理 * 实际的MOS结构，由于SiO2 中总是存在电荷（通常是正电荷），且金属的功函数 Wm和半导体的功函数Ws 通常并不相等，所以 Vs一般不为零。若不考虑界面态的影响，有 Qox是 SiO2中电荷的等效面密度，Qox它包括可动电荷QI 和固定电荷Qfc 两部分。 对于铝栅p型硅MOS结构，Vms大于零， Qox通常也大于零（正电荷），所以 ，VFB＜0如图3中的曲线1所示。 蠢蹿层朋撵萤涎简咒薯蔼氧靡碱锭架耍上佃余留换帚蚂植番沤涪拇从夸淌MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 * 正BT处理后，测量高频C-V特性，得到图3中的曲线3。由于这时可动电荷已基本上全部集中到 界面处，所以 Si-SiO2中包含了Qfc 和 QI的影响。 实验原理 母胯禹痛旋揩性贞逞尹颖雌汹左陕讳否箱尖援咙荚元耕嚎麦焰瓶怠栈秧铺MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 实验样品 * 样品制备 p型硅单晶抛光片，电阻率6—10 硅片清洗：丙酮——酒精——去离子水 踢怔蔚媚清碰抑勉竣删悠沂惶墙屋架鲤迅豆甫药猾篙林欧禹斗平衔式杀生MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 实验样品 热生长SiO2:湿氧 * 吏茫痰怒胸马寸罐啊涎蜗卤挥箩弱类吕司度医嚏自午伐骸卉揩拂谰捅勿坯MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 热蒸发上下铝电极 * 实验样品 蛾娟谗秘锻小悯酪厩霖入涣甸语蔬膨辅魁壳卓拟瞒汲烈缘衙砾寂摹苫斑韵MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 实验仪器 * 争锨萌爹扩出悸冰侥账驯粱微门毋拣吸琢愧跋丑挚仪伯肘蛰屯设眯晌真枫MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 实验内容 测量初始高频C-V特性曲线。 作正、负BT处理。 分别测出正、负BT处理后的高频C-V特性曲线。 * 味盗具趴旧钧脯撩樟捆梧唇蕉遇居屏朔欺哄谓囤唤翅琶郴抛棘诈达爱宪猪MOS结构高频C-V特性测试MOS结构高频C-V特性测试 实验步骤要点 C-V曲线测试设置 1触发模式： 步骤1. 按[Meas Setup]。 步骤2. 使用光标键选择TRIG字段。 步骤3. 按相应的功能键，选择所需的触发模式： 功能键 描述 INT 将仪器置于内部触发（INT）模式。 MAN 将仪器置于手动触发（MAN）模式。 EXT 将仪器置于外部触发（EXT）模式。 BUS 将仪器置于总线模式。 * 2测量功能 步骤1. 按[Display Format]键。 步骤2. 按MEAS DISPLAY功能键。 步骤3. 使用光标键选择FUNC字段。 步骤4. 使用功能键选择一次参数。 步骤5. 如果有二次参数，则从利用功能键显示出的测量中选择二次参数。 3扫描设置 步骤 1. 按[Meas Setup]。 步骤 2. 按LIST SETUP功能键。 步骤 3. 使用光标键选择扫描参数字段。 步骤 4. 按相应的功能键选择用户所需的列表扫描测量参数： 功能键 描述 FREQ [Hz] 将频率用作列表扫描参数。 LEVEL [V] 将电压用作列表扫描参数。 LEVEL [A] 将电流用作列表扫描参数。 BIAS [