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- 2017-01-02 发布于重庆
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激子——束缚的电子-空穴对 6.1 基本概念 在元素周期表中,Ⅰ-Ⅶ族元素离子的激子玻尔半径较小,如CuCl的玻尔半径≈0.7nm;对Ⅱ-Ⅵ族半导体,如CdS,其玻尔半径≈3.0nm,CdSe,其玻尔半径≈3.5nm,它们在小尺寸时(小于2nm)有较强的量子限域效应,但由于Ⅰ-Ⅶ和Ⅱ-Ⅵ族半导体很难作成小尺寸的微晶,它们也不适合作强的量子限域材料;而Ⅲ-Ⅴ族材料是理想的强量子限域材料,它们有较小的电子-空穴有效质量和大的介电常数,因而有较大的激子玻尔半径,如InAs的玻尔半径≈31.6nm,室温下,InSb有最窄的带隙,最小的电子-空穴有效质量,最大介电常数,InSb的激子玻尔半径也最大,为67.8nm,所以InSb被广泛用来研究强量子限域作用。 光谱线及移动 人工纳米低维材料 光吸收简介 光通过物质时,某些波长的光被物质吸收产生的光谱,叫做吸收光谱。 用适当波长的光照射固体材料,可将固体材料中的电子从价带激发到导带,而在价带中留下空穴。这种光激发的电子空穴对可以以不同方式复合发射光子,在光谱上产生对应的发射峰,从实验上得到的光谱细节则反映固体材料的信息。 一般而言,在研究固体材料的光学性质过程中,往往需要引入相对介电常数
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