第四章MOSFET.pptVIP

四. MOSFET等效电路与频率响应 1.小信号参数 A 线性导纳 （4-79） （4-80） 随温度升高斜率下降是高 温下迁移率下降造成的 B 栅跨导 漏源电压VDS一定时，漏电流的微分增量与栅源电压 微分增量之比，即： （4-81） 栅跨导表示栅源电压VGS对漏电流的控制能力 理想MOSFET线性区： （4-82） 饱和区： （4-83） 当漏压和栅压较高时，实际跨导与理想值存在一定的 差距，这由于栅压和漏压使沟道内有效迁移率发生变化。 栅压的影响：栅压较低时,跨导随栅压增大线性增大；但随着栅压增大沟道有效迁移率下降；当 因子的减少与栅压增大作用相抵消时，跨导达最大值；进一步加大栅压，跨导则下降。 源漏电压的影响：漏电场达到临界场强时，载流子漂移速度达到饱和速度，跨导达到与外加电压和沟道长度无关的极限值： 有效跨导 漏区、源区存在的体电阻、电极处存在欧姆接 触电阻等都将影响有效栅压和漏压；考虑串联电 阻影响的有效跨导： （4-84） 饱和区的有效跨导： （4-85） * 提高跨导的措施 提高沟道载流子迁移率； 减薄栅氧化层，增大栅电容； 版图设计上增大宽长比； 减小串联电阻。 C 饱和区漏极电阻 （4-86） 饱和区漏极电阻由作图法求得 亚阈值区 当栅电压低于阈值电压，半导体表面只是弱反型。对漏电流起主要作用的载流子扩散 （4-87） （4-88） （4-89） （4-90） 典型P沟MOS工艺 采用复合绝缘层，称MNMOS器件 氮化硅介电常数高， 栅电容增大； 氮化硅能阻挡钠离子迁移，稳定阈值电压。 五. MOSFET按比例缩小 1.短沟道效应 当器件的沟道长度减小到可以与漏结、源结的耗尽层 宽度相比拟时，器件不能用一维理论进行分析，出现短 沟道效应。短沟道效应：阈值电压随沟道长度的减少而 下降；沟道长度缩短后，漏源间高电场使迁移率减少， 跨导下降，或者沟道穿通出现空间电荷限制电流；弱反 型漏电流将随沟道长度缩小而增加，出现夹不断现象。 （1）阈值电压下降 （2）本体穿通 当 时，出现穿通。源和漏两个耗尽层连 在一起，栅失去了对电流的控制作用。 最短沟道长度 (4-91) WS和WD分别为源、漏结的耗尽层宽度。 为了实现MOS器件的小型化，提高器件性能，尽量缩 短沟道长度又避免短沟道效应，按比例缩小MOSFET， 包括