第四章CMOS版图.pptVIP

NCOMP/PCOMP：有源区 DIF.1 宽度 0.30 DIF.2 沟道宽 0.40 DIF.3 NCOMP 到 NCOMP 距离 0.60 DIF.4 PCOMP 到 PCOMP 距离 0.60 DIF.6 N阱内NCOMP 到 PCOMP 距离 0.60 DIF.12 孤立的N/P注入区的最小面积 (um2) 0.78 DIF.1 DIF.1 DIF.1 DIF.1 DIF.4 DIF.3 DIF.6 DIF.2 DIF.5 DIF.2 DIF.7c DIF.7c N-well Legend DIF.7 DIF.7 DIF.10 DIF.8 DIF.12 Contact Poly 2 PCOMP NCOMP 多晶硅 ： PL2.2 栅宽（3.3V） 0.35 PL2.3 栅间距 (excluding serifs) 0.45 PL2.4 栅与源漏区边界的最小间距 0.50 PL2.5 栅超出有源区距离 0.45 PL2.6a PL2.6b PL2.6b PL2.6b PL2.5 PL2.6 PL2.4 PL2.2 PL2.1 PL2.3 PL2.3 0.05um 0.1um 0.05um 0.05um PL2.5 N-Well Comp Poly 2 Contact Legend Dog Bone 接触孔 ： CON.1 最大/最小接触孔尺寸 0.40x0.40 CON.2 接触孔最小间距 0.40 CON.3 扩散区的接触孔与边沿的距离 0.15 CON.5 多晶硅栅上的接触孔到多晶硅栅边界的距离 0.15 CON.6 有源区的接触孔与栅的间距 0.30 CON.7 栅上的接触孔与有源区间距 0.40 CON.2 CON.3 CON.5 CON.6 CON.1 CON.4 CON.7 CON.5 Comp Poly 2 Contact Legend Butting Contact (Polyicide Only) 金属条 Mn.1 金属条宽 0.60 Mn.2 金属条间距 0.60 Mn.3 金属条两边覆盖过孔或接触孔宽度 0.15 Mn.1 Mn.2 Mn.2 Mn.5 Mn.3 Mn.4 Vn.2 Vn.3 Vn.1 Metal Via/ Contact Legend 说明：实际版图中，顶层金属会有不同，间距和条宽都会增加。 过孔 ： Vn.1 过孔尺寸 0.45 x 0.45 Vn.2 过孔间距 0.45 Vn.3 金属条两边覆盖过孔 （所有金属层） 0.15 键合点（PAD） PAD.1 宽度 70 PAD.2 间距 30 PAD.3.1 顶层金属四周覆盖键合点距离 2.5 说明：实际版图中的pad都是有保护电路的，且厂商会提供经过若干次实验的电路。 三个关键问题 给出一个电路图要如何着手画版图？ 每一个好的版图设计师都从这里开始 问题1：这个电路是做什么用的？ 问题2：它需要多大的电流？ 问题2a：大电流路径和小电流路径都在那里？ 问题3：有哪些匹配要求？ 问题1：这电路是做什么用的？ 答案：这是一个放大器。 了解电路的功能对版图设计至关重要，你将根据这些信息做出决定。电路功能将决定你将如何处理这样的一些问题：绝缘，匹配，布局，均衡，覆盖，保护方法，I/O导线的位置吗，器件分割，平面布置等。 问题2：它需要多大的电流？ 电路设计者说：需要200微安的电流。 接下来要做的是计算电流密度 在典型的CMOS工艺中，导线承受电流的能力为0.5毫安/微米。 一条导线能承受的电流 (I)等于金属线的宽度乘以电流常数。 接下来一步：计算电流密度 工艺手册中有导线可以承受的电流常数(Ih)，是每微米0.5毫安。 查找工艺规则，最小线宽是0.5um，因此最小线宽已经满足了设计要求。 大电流路径和小电流路径 如果设计中流过电路的是5mA的电流，则需要10um宽的导线，但并不是每个地方都要用10um的导线，跟电路设计工程师沟通，看电流从哪里流过。 电路中可能有多条路径，每一条都有自己的电流要求。有些路径可能只需要1毫安，有些需要10毫安，这些大电流和小电流路径要注意了，找出它们在什么地方，了解它们的重要程度。 器件方向 图中是一个四指FET，假如最下面的晶体管M1要驱动5毫安的电流。因此需要一条10微米的导线。 连接方案 方案一：直接连接，使左面的新号线宽10微米。所有电流都从左边流入。 电流都从左面流入，要经过一个很拥挤的小瓶颈区向上到达器件的顶部，因此这个角落会有很多很细的金属线。 方案二：把10微米的导线放到顶上去 思考一下： 1.为什么让信号从上面流入有好处？