第四章半导体的导电性(精编).pptVIP

各类材料的电导率 三. 迁移率与杂质和温度的关系 散射几率，平均自由时间和温度的关系： 光学波散射 电离杂质散射 声学波散射 因为任何情况下，几种散射机制都会同时存在 对Si、Ge主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射 对于GaAs，须考虑光学波散射 结论：对低掺杂的样品PsPi，迁移率随温度增加 而减低。 ①高掺杂样品 （Ni1018/cm3） 低温下（250℃以下），杂质散射起主要作用，随Ｔ　　　　　 高温下（ 250℃以上），晶格散射起主要作用，随Ｔ　　　 ② 随Ni的增加，　均减小。 电子迁移率 空穴迁移率 Ge在300K下的电子迁移率和空穴迁移率 1、对于半导体材料，相同温度下，电子迁移率大于空穴迁移率 2、迁移率与杂质浓度有关，当半导体参杂杂质时，电子迁移率与空穴迁移率的差别随着杂质浓度的增大而增大。 迁移率与导电类型无关，P型半导体中的空穴（多子）与N型半导体中的空穴（少子）在其他条件相同的情况下迁移率趋于相同 同理，N型半导体中的电子（多子）与P型半导体的电子（少子）在其他情况相同时，迁移率相同。 例题 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1450cm2/(V.s)和500cm2/(V.s)，当参入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率，比本征硅的电导率增到了多少？ 第四章