光电子学-第五章讲述.ppt

光辐射的调制 电光调制 g63横向电光相位延迟 横向运用最大的优点是可以利用增大纵横比来降低半波电压。 通过晶体后两光产生相位差为： 电光调制 g63横向电光效应的补偿方式 第二块晶体相对于第一块翻转90度放置，电场反向 电光调制 g63横向电光效应的补偿方式 第二块晶体相对于第一块翻转180度放置 电光调制 KDP类晶体的电光振幅调制 KDP晶体g63纵向运用 入射光强为： 调制光强为： 电光调制 KDP类晶体的电光振幅调制 KDP晶体g63纵向运用 调制光强为： 调制器的透过率为： 为减小失真，使透过率线性变化： 电光调制 KDP类晶体的电光振幅调制 振幅调制或强度调制:KDP晶体g63纵向运用 输出光强仍为正弦变化, 不失真。 可见失真程度很小 电光调制 KDP类晶体的电光相位调制 输出光强为: 外电场不改变出射光的偏振状态，仅改变其相位 电光调制 光电子学实验----铌酸锂（LiNbO3）晶体横向调制 LN晶体是单轴晶体，其线性电光系数矩阵为： 没有加电场之前，LN的折射率椭球为： 加上电场之后，其折射率椭球变为： LN晶体折射率椭球 x3 x2 x1 n1 n2 n3 电光调制 光电子学实验----铌酸锂（LiNbO3）晶体横向调制 实验光路为： x1 x3 d Y P A E L U 横向电光调制示意图 横向电光调制： 加上横向电场之后，其折射率椭球变