第三节半导体激光器件.pptVIP

3.3.2 异质结半导体激光器 一、双异质结半导体激光器(DHL） 施加正向偏压时, 激活区内注入的电子和空穴，由于两侧高势垒的限制，深度剧增，激活区厚度变窄，d=0.5?m。 由于激活区两侧折射率差都很大，“光波导效应作非常显著，使光波传输损耗大大减小。阈值电流密度更低，可降到(102一103) A/cm2。 当采用GaAs和GaAlAs量子阱材料制作激光器时，阈值电流密度下降到几A/cm2。目前，这种激光器已成为极为重要的、实用化的相干光源。 正向偏置时双异质结与同质结载流子分布的对比 * 中间的窄带隙层对载流子形成了很好的限制作用 正向偏置的同质结 正向偏置的双异质结 窄带隙层一般还具有比较高的折射率，光波导效应明显 3.3.3 分布反馈（DFB）激光器 动态单纵模激光器：在高速调制下仍能单纵模工作的半导体激光器。 分布反馈半导体激光器：在异质结激光器具有光放大作用的有源层附近，刻上波纹状的周期光栅构成的。 光栅结构制作在限制层中 DFB激光器与普通激光器的对比 DFB激光器的光谱宽度大约为普通型激光器的1/10左右 色散的影响大为降低，可以实现速率为10Gb/s的超高速传输 3.3.4 垂直腔表面发射半导体激光器 垂直腔面发射激光器（VCSEL：Vertical-cavity surface-emitting laser） 谐振腔的腔镜由折射率不同的物质层交错堆积而成