第七节金属半导体接面机械加工.pptVIP

金屬半導體接面 金屬半導體接面 之前所提之pn接面為相同材料，只是摻雜種類不同的半導體相接。 金屬半導體接面：可分為有整流作用的蕭特基位障（Schottky barrier）以及非整流特性的歐姆接面(Ohmic contact)。 能帶關係（以n型半導體為例，假設?m?s） 能帶關係（假設?m?s） 能帶關係（續） 蕭特基接面分析 接面電容 接面電容（續） 能帶關係(續) 對金屬與p型半導體接面而言，蕭特基位障為： 界面態階對位障之影響 界面態階對位障之影響（續） 假設界面態階界面態階密度為定值，為Dit(states/cm2-eV)： 考慮兩個特殊狀況： 情況一：Dit??，可得 情況二： Dit??0，可得 7.1.2 The Schottky Barrier電流電壓關係 主要由於多數載子，和pn接面不同。 主要傳導機構為熱離子發射—半導體中之電子越過位障而達到金屬。 電流電壓關係（續） 熱平衡狀態下，電子濃度為： 電子電流正比於表面電子濃度 順向偏壓下，電子濃度為： 故順向偏壓下的淨電流為： 電流電壓關係（續） 電流電壓關係（續） 蕭特基接面二極體與pn二極體的比較 電流產生機制不同： 頻率響應不同： 7.1.3 The Ohmic Contact歐姆接面 此種金屬半導體接面雙向皆可導通，且其接觸電阻遠小於半導體的串聯電阻，