边继明P型ZnO掺杂理论与实验研究进展.docVIP

P型ZnO掺杂理论与实验研究进展 摘要: ZnO是一种多用途的半导体材料,一直受到国内外学术界的广泛关注。自1997年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来,ZnO薄膜的制备及其光电子特性的研究成为新的研究热点。由于ZnO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地进行p型元素的掺杂。本文介绍了ZnO薄膜p型掺杂的理论和国内外通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO薄膜的特点进行了比较分析。 关键词: ZnO薄膜;p型掺杂;自补偿效应 1 引言 ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带氧化物半导体材料,为六方纤锌矿结构。ZnO具有许多优异的特性，如高的熔点和热稳定性，良好的机电偶合性能，较低的电子诱生缺陷，而且原料易得廉价，无毒性，而且，作为一种压电、压敏和气敏材料，ZnO较早便得以研究和应用。ZnO薄膜,特别是c轴取向的ZnO薄膜,具有优异的结构、光学和电学特性[1～3],而且,相对于其他宽禁带半导体如GaN, ZnO具有更高的激子束缚能,室温下为60meV,激子增益也可达300,是一种理想的短波长发光器件材料[4,5],在LEDs、LDs等领域有着很大的应用潜力。 ZnO薄膜作为一种新型的半导体材料，在很多方面值得深入研究，如：如何改进生长工艺，提高薄膜的纯度，降低薄膜缺陷密度；如何实施掺杂，提高薄膜的稳定性，改善薄膜性能，实现ZnO的P型转变；ZnO单晶薄膜、纳米薄膜和ZnO低维材