2016半导体器件习题课.pptVIP

半导体器件习题－PN结和三极管 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　田野 3月14日作业 1、讨论影响共射极电流增益的因素； 2、比较多晶硅发射极晶体管与扩散晶体管的优越性。 1、讨论影响共射极电流增益的因素 出现在P278表10.3 其中NB、NE为基极、发射极掺杂浓度DB、DE为基极、发射极少子扩散系数、xB、xE为中性基极、发射极宽度，LB为基区少子扩散长度，Jr0、Js0为零偏复合电流和饱和电流密度 1、讨论影响共射极电流增益的因素 1、讨论影响共射极电流增益的因素 爱因斯坦关系： P127表5.2 记住Si材料中T=300K时典型迁移率，表中所给出的是体内的迁移率，提问：体内的迁移率大还是体外的迁移率大？ 1、讨论影响共射极电流增益的因素 2、比较多晶硅发射极晶体管与扩散晶体管 的优越性 《集成电路原理与设计》P66 采用常规SBC结构的双极型晶体管在发展中遇到两个问题：一、纵向尺寸按比例缩小时，当xjE缩小到200nm以下时，xjE小于发射区中少子的扩散长度，这将导致基极电流增大，增益下降；二、基区宽度的减少，又导致穿通现象的发生，解决穿通问题我们一般增加基区的掺杂浓度，但这会引起增益下降。 2、比较多晶硅发射极晶体管与扩散晶体管 的优越性 因此采用多晶硅发射极结构，因为同等掺杂浓度下，其电流增益提高了3~10倍。因此可以保证在