微电子器件(5-1)讲述.ppt

* 第 5 章 绝缘栅场效应晶体管 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是另一类重要的微电子器件。这是一种电压控制型多子导电器件，又称为单极型晶体管。与双极型晶体管相比，有以下优点 ① 输入阻抗高； ② 温度稳定性好； ③ 噪声小； ④ 大电流特性好； ⑤ 无少子存储效应，开关速度高； ⑥ 制造工艺简单； ⑦ 各管之间存在天然隔离，适宜于制作 VLSI 。 结型栅场效应晶体管（J FET） 肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET） 绝缘栅场效应晶体管（IGFET 或 MOSFET） 场效应晶体管（FET）的分类 根据沟道导电类型的不同，每类 FET 又可分为 N 沟道器件 和 P 沟道器件。 JFET 和 MESFET 的工作原理相同。以 JFET 为例，用低掺杂的半导体作为导电沟道，在半导体的一侧或两侧制作 PN 结，并加上反向电压。利用 PN 结势垒区宽度随反向电压而变化的特点来控制导电沟道的截面积，从而控制沟道的导电能力。两种 FET 的不同之处是，J FET 利用 PN 结作为控制栅，而 MESFET 则是利用金- 半结（肖特基势垒结）来作为控制栅。 IGFET 的工作原理略有不同，利用电场能来控制半导体的表面状态，从而控制沟道的导电