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CMOS结构的硅化物 自对准金属硅化物的形成 金属填充塞 0.18μm STI 硅化钴 6层金属IC的逻辑器件 7.3 金属淀积系统 金属淀积系统： 1. 蒸发 2. 溅射 3. 金属CVD 4. 铜电镀 半导体传统金属化工艺—物理气相淀积（PVD） SSI、MSI→蒸发 LSI以上→溅射 蒸发是在高真空中，把固体成膜材料加热并使之变成气态原子淀积到硅片上的物理过程。 蒸发的工艺目的 在硅片上淀积金属膜以形成金属化电极结构。 成膜材料的加热方式：蒸发器分为电阻加热、电子束加热、高频感应加热等三种。在蒸发工艺中，本底真空通常低于 10－6Torr。 金属淀积系统——蒸发 简单的蒸发系统 机械泵 Roughing pump Hi-Vac valve高真空阀 高真空泵 Hi-Vac pump Process chamber工艺腔（钟罩) Crucible 坩锅 Evaporating metal蒸发金属 Wafer carrier 载片台 电子束蒸发是电子束加热方式的蒸发，是在高真空中，电子枪发出电子经系统加速聚焦形成电子束、再经磁场偏转打到坩锅的成膜材料上加热，并使之变成气态原子淀积到硅片上的物理过程。 在蒸发技术中，电子束蒸发占主流。 电子束蒸发系统的组成： 1. 高压电源系统 2. 真空系统 3. 电子加速聚焦偏转系统 4. 工艺腔