半导体激光器制造封装00.pptVIP

半导体激光器的制作工艺、封装技术和可靠性 目录 1.半导体材料选择 2.制作工艺概述 3.DFB和VCSEL激光器芯片制造 4.耦合封装技术 1.半导体激光器材料选择 半导体激光器材料主要选取Ⅲ-Ⅴ族化合物（二元、三元或四元），大多为直接带隙材料，发光器件的覆盖波长范围从0.4μm到10μm。 GaAlAs/GaAs是应用最普通的双异质结材料；与InP衬底匹配的GaInAsP四元合金用于1.31μm和1.55μm光电子器件最广泛。 常见的材料参数为：禁带宽度、晶格常数、相对介电常数。 半导体激光器的材料选择 1.能在所需的波长发光 2.晶格常数与衬底匹配 半导体异质结 异质结的作用： 异质结对载流子的限制作用 异质结对光场的限制作用 异质结的高注入比 2.制作工艺 2.1半导体激光器的工艺过程 2.2外延生长技术 在一个单晶衬底上生长一层或多层同质或异质的半导体层的技术称为外延生长技术。 目前应用最广泛的外延生长技术有三种： 液相外延（LPE） 有机金属化合物化学气相沉淀（MOCVD） 分子束外延（MBE） 液相外延技术 LPE指由饱和或过饱和溶液冷却过程中在单晶衬底上定向生长一层薄膜材料。例如，GaAs外延层就是从As饱和的Ga溶液中生长，