第二章单端反激TOPswitch.pptVIP

假设VDS为零，实际考虑为10V TOPSwitch漏极箝位与齐纳管、阻断管的选择： 当MOSFET截止时，变压器的漏感将产生尖峰电压，该尖峰电压必须被箝位低于BVDSS ，箝位电路由齐纳二极管VR1和阻断二极管D1组成 ； 反向阻断管采用超快恢复高压整流管，其反向恢复时间应小于75ns，击穿电压值的选择为：TOP1××系列用400V， TOP2××系列用600V，； 箝位齐纳管在瞬态或稳态时，必须有足够的控制能，其箝位电压大致高于反射输入电压VOR的1.5倍。对于TOP1××器件，VOR应取60V或小些；对于TOP2××器件VOR应取135V或小些； 注意齐纳二极管的热阻抗和稳态功耗能力依赖于引脚导线的直径，它应当在0.037—0.043英寸之间。 （4）设置脉动电流IR与峰值电流IP的电流比例因数KRP 在大多数连续工作状态下，对于电网为 100-115 VAC或者通用输入交流电压时，先取电流比例因数KRP＝0.4；在230VAC电网输入时，取KRP=0.6。当连续工作状态较少时，KRP会增加到较高值。按上述定义，KRP不会大于1.0，并且也不可能被设置在比0.4更小的数值。 （5）确定原边波形参数IAVG、IP 、 IR 、IRMS （6）根据TOPSwitch数据库中的最小电流限制ILIMIT和要求的IP值，来确定其型号。