MOS管初步了解课件.ppt

MOS 管 主线 一、MOS管的分类 二、MOS管的图片 三、MOS管的应用 1、MOS管的分类 一、符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件 　　　　　　　　　　 　　　　　　 　　　 场效应管分三个极： 　　　　　　　Ｄ极为漏极（供电极）　 　　　　　　　Ｓ极为源极（输出极） 　　　　　　　Ｇ极为栅极（控制极） 　　　　　　　Ｄ极和Ｓ极可互换使用　 1.1　MOS管的分类 场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。 　　 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用 增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。 1.2 MOS管的特性 1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压 　　　 2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高 　　　 3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通 　　　 4、场管的ＤＳ功能可互换　　　 　　　Ｎ沟道场管的导通截止电压： 　　　 导通条件：ＶＧＶＳ　，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大 ，ＩＤ越大 　 　　截止条件：ＶＧＶＳ　，ＩＤ没有电流或有很小的电流 1.3 MOS的测量及好坏判断 　1、测量 　　　 极性及管型判断 　　 红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道 　　　 红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道 　　　 如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿 　　　 贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测　　　　　　　 　　　 场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准 　2、好坏判断 　　　 测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路 　　 　软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。 1.4MOS管的代换原则（只适合主板） 场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可 　　　 功率大的可以代换功率小的 　　　 板子上的场管最好原值代换 2.MOS管的图片 各种MOS管的封装图片 3、MOS管的应用 一、MOS管的作用是什么？ 　　目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。 3.1低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。 3.2 宽电压应用 输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。 3.3 双电压应用 在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。 3.4 用于NMOS的驱动电路 这里只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：　　 Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。　　 Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。　　 R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。　　 Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。　　 R5和R6是反馈电阻，用于对gate电