MOS器件物理课件.ppt

温度效应 上式一直为负值，即阈值电压随温度上升而下降。 对于PMOS管则dVth/dT总为正值，即阈值电压随温度的上升而增大。 温度效应 载流子迁移率随温度的变化 实验表明，对于MOS管，如果其表面电场小于105V/cm，则沟道中电子与空穴的有效迁移率近似为常数，并约为半导体体内迁移率的一半。 实验还发现，在器件工作的正常温度范围内，迁移率与温度近似成反比关系。 温度效应 漏源电流IDS随温度的变化 根据以上的分析，温度的变化会引起阈值电压与迁移率的变化，进而影响其漏源电流。由萨氏公式两边对T求导得： 　 　　　　　　　　　　　　 温度效应 则有： 　 　　　　　　　　　　　　　 由于温度的变化对阈值电压与迁移率的影响正好是反向的，漏源电流IDS随温度的变化取决于这两项的综合，因此，MOS管的电性能的温度稳定性比双极型的晶体管好。 MOS管的小信号模型 MOS管交流小信号模型---低频 小信号是指对偏置的影响非常小的信号。 由于在很多模拟电路中，MOS管被偏置在饱和区，所以主要推导出在饱和区的小信号模型。 在饱和区时MOS管的漏极电流是栅源电压的函数，即为一个压控电流源，电流值为gmVGS，且由于栅源之间的低频阻抗很高，因此可得到一个理想的MOS管的小信号模型，如图所示。 MOS管交流小信号模型---低频 (a) (b) MOS管交流小信号模型---低频 其中（a）为理想的小信号模型。 实际的模拟集成电路中MOS管存在着二阶效应，而由于沟道调制效应等效于漏源之间的电阻ro；而衬底偏置效应则体现为背栅效应，即可用漏源之间的等效压控电流源gmbVBS表示，因此MOS管在饱和时的小信号等效模型如图 (b)所示。 上图所示的等效电路是最基本的，根据MOS管在电路中不同的接法可以进一步简化。 MOS管交流小信号模型---高频 在高频应用时，MOS管的分布电容就不能忽略。即在考虑高频交流小信号工作时必须考虑MOS管的分布电容对电路性的影响， 所以MOS管的高频小信号等效电路可以在其低频小信号等效电路的基础上加入MOS管的级间电容实现，如图所示。 MOS管交流小信号模型---高频 MOS管交流小信号模型---高频 不同工作状态（截止、饱和、线性）时MOS管的分布电容值不同，因此若进行详细的计算比较困难，但可以通过软件模拟进行分析。 另外，在高频电路中必须注意其工作频率受MOS管的最高工作频率的限制（即电路的工作频率如高于MOS管的最高工作频率时，电路不能正常工作）。 CMOS中的有源电阻 有源电阻 MOS管的适当连接使其工作在一定状态（饱和区或是线性区），利用其直流电阻与交流电阻可以作为电路中的电阻元件使用。 1　MOS二极管作电阻 　　　　MOS二极管是指把MOS晶体管的栅极与漏极相互短接构成二端器件，如图所示。 有源电阻 由上图可知，MOS二极管的栅极与漏极具有同的电位，MOS管总是工作在饱和区，根据饱和萨氏方程可知其转移特性曲线（漏极电流－栅源电压间的关系曲线）如下图所示。 NMOS　　　　　　　　　　　PMOS 有源电阻 (一) 直流电阻 此时NMOS管的直流电阻为： PMOS管的直流电阻为： 　　　　　　　　　　　　　 由以上两式可以发现：MOS二极管的直流电阻与器件的尺寸相关，并且还取决于VGS的值。 有源电阻 （二）　交流电阻 交流电阻可以视为MOS管的输出特性曲线在VDS＝VGS时的斜率，对于理想的情况，即忽略沟道调制效应时，其值为无穷大。 考虑沟道调制效应时，交流电阻是一有限值，但远大于在该工作点上的直流电阻，且其值基本恒定。 有源电阻 1）忽略衬底偏置效应 首先根据饱和萨氏方程，可得到其电压与电流特性： 则有： 　　　　　　　　　　　　 　 上式说明当流过三极管的电流确定后，MOS管的二端压降仅与几何尺寸有关 。 有源电阻 再根据MOS二极管的低频小信号模型，有：V1＝V和I＝V/ro＋gmV。所以小信号工作时MOS二极管可近似为一个两端电阻，其值为： 　　　　　　　　　　　　　　　　 由上式可以看出： 二极管连接的MOS管的交流电阻等于其跨导的倒数，且为一非线性电阻。 但由于在模拟电路中一般交流信号幅度较小，因此，在直流工作点确定后，可以认为其值为一恒定值。 有源电阻 2）考虑衬底偏置效应 如果考虑体效应，如下图（a）所示，由于衬底接地电位，则有：V1＝－V，Vbs＝－V，其等效电路如下图（b）所示。 （a) (b) 有源电阻 根据