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（2）特性曲线 图1.45 N沟道耗尽型MOS管的输出特性和转移特性 耗尽型MOS管工作时，其栅源电压UGS可以为0，也可以取正值或负值，这个特点使其在应用中具有更大的灵活性。 3．绝缘栅场效应管的主要参数 开启电压UT：是指UDS为一定值时，形成导电沟道，使增强型MOS管导通所需要的栅源电压值。 其他主要参数与结型管的含义相同。 能力培养 （一）二极管的测试 能力培养 （二）三极管的检测 能力培养 （三）二极管应用电路举例 能力培养 （四）三极管与场效应管性能 比较及检测选用 模块一 能力培养 能力培养 （一）二极管的测试 1．二极管极性的判定 若二极管性能良好，但看不出二极管的正负极性，可用万用表的欧姆挡（R?100?或R?1k?挡）测量其极性。 图1.46 二极管极性的测试 2．二极管好坏的判定 用万用表的欧姆挡（R?100?或R?1k?挡）测量二极管的正、反向电阻。 ① 若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。 ② 若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管短路，已损坏。 ③ 若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管断路，已损坏。 能力培养 （二）三极管的检测 对中、小功率三极管，可用万用表的R?100?或R?1k?挡测量。 对于大功率三极管，可用万用表的R?1?或R?10?电阻挡测量。 1．已知型号和管脚排列的三极管，判断其性能的好坏 （1）测量极间电阻 （2）三极管的穿透电流ICEO大小的判断 （3）电流放大系数β的估计 2．检测判别三极管的管脚 （1）判定基极和管型 （2）判定集电极c和发射极e 图1.47所示为判别三极管c、e电极的原理图。 图1.47 判别三极管c、e电极的原理图 能力培养 （三） 二极管应用电路举例 例题1-6：二极管工作状态的判定。如图1.48所示电路，判定电路中硅二极管的工作状态，并计算UAB的值。 解：判定二极管工作状态的方法： ① 假定断开二极管，估算其两端的电位； ② 接上二极管判定其是正偏还是反偏。若二极管正偏，则导通；否则二极管截止。 图1.48 判定二极管的工作状态 VD正偏导通。UAB=0.7V。 例题1-7：二极管低压稳压应用电路。图1.49所示为硅二极管构成的低压稳压电路，试计算Uo的值。 图1.49 二极管低压稳压电路 解：输出电压Uo为两个硅二极管的正向导通压降之和，即Uo=1.4V。 例题1-9：二极管限幅电路。图1.51所示为双向限幅电路，设二极管理想，输入电压为幅度为15V的正弦波，试对应输入电压画出输出电压的波形。 图1.51 双向限幅电路 能力培养 （四）三极管与场效应管的性能特点比较及检测与选用 1．三极管与场效应管的性能特点比较 性能特点\器件 三 极 管 场 效 应 管 导电机制 多子和少子都参与导电 只有多子参与导电 器件名称 三极管，晶体管，双极性管 场效应管，单极性管 器件类型 NPN型，PNP型 结型和绝缘栅型N沟道、P沟道 控制方式 电流控制（IB控制IC） 电压控制（UGS控制ID） 放大控制参数 ?（20～100） gm（1～6mS） 直流输入电阻 小（102～105?） 大（107～1015?） 热稳定性 差 好 噪声 较大 比较小 抗辐射能力 差 强 制作工艺 较复杂 简单，成本低，易于集成化 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模或超大规模集成 表1.6 三极管与场效应管的性能特点比较 2．结型场效应管的检测 （1）判定结型场效应管的栅极和管型 （2）用万用表判定结型场效应管的好坏 3．选用场效应管应注意的事项 ① 选用场效应管时，不能超过其极限参数。 ② 结型场效应管的源极和漏极可以互换。 ③ MOS管有3个引脚时，表明衬底已经与源极连在一起，漏极和源极不能互换；有4个引脚时，源极和漏极可以互换。 ④ MOS管的输入电阻高，容易造成因感应电荷泄放不掉而使栅极击穿永久失效。因此，在存放MOS管时，要将3个电极引线短接；焊接时，电烙铁的外壳要良好接地，焊接时按漏极、源极、栅极的顺序进行，而拆卸时按相反顺序进行；测试时，测量仪器和电路本身都要良好接地，要先接好电路再去除电极之间的短接。测试结束后，要先短接电极再撤除仪器。 ⑤ 电源没有关时，绝对不能把场效应管直接插入到电路板中或从电路板中拔出来。 ⑥ 相同沟道的结型场效应管和耗尽型MOS场效应管，在相同电路中可以通用。 （一） 结型场效应管