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半导体器件基础习题三 2014年5月27日 姓名 学号 作业务请写上中文姓名、学号，发往luming.sjtu42@。 1，已知铝栅 P 沟 MOSFET 的 N 型衬底掺杂浓度 ND ＝ 5×1015 atoms／cm3，栅氧化层厚度 dsio2 ＝1000?氧化层中固定正电荷密度 QSS /q = 1011 atoms／cm2 求铝栅 P 沟 MOSFET 的阈值电压。 解：由 先计算 先计算 故 再计算 代入 可得 2，已知硅栅 N 沟 MOSFET 的 P 型衬底掺杂浓度 N A = 1.5×1015 atoms／cm3，栅氧化层厚度dsio2 ＝1000? 氧化层中固定正电荷密度 QSS /q = 1011 atoms／cm2 多晶硅中掺入磷的浓度 ND ＝ 5×1018 atoms／cm3 求 MOSFET 的阈值电压。 解：根据给出的数据，可以算出 故 代入 可得 3，硅栅 N 沟 MOSFET 场区氧化层厚度 dsio2 ＝ 10 4 ? 氧化层中固定正电荷密度 QSS /q ＝ 1011 atoms／cm2 如果在场区增加掺杂浓度 NA ＝ 5×1015 atoms／cm3 试求厚膜场区的阈值电压。 解：这时因为有 根据数据可得 4．铝栅 N 沟 MOSFET 的 P 型衬底掺杂浓度 NA ＝2.0×1015 atoms／cm3 氧化层厚度 dsio2 ＝1500? 铝的功函数 Wm ＝ 4.20 eV P 型硅掺杂浓度为NA＝1.5×1016 atoms／cm3时的功函数 Wsi ＝4.97 eV 试求氧化层中固定正电荷密度分别为 QSS／q = 5×1010 atoms／cm2 QSS／q = 5×1011 atoms／cm2 时的阈值电压。 解： 考虑功函数差 UMS 和 氧化层中的电荷 QSS： 功函数差 UMS = 4.20V - 4.97 V = - 0.77 V 计算 根据数据可得 阈值电压 UT = - 0.77 V – 0.47V + 0.1V + 0.66V = - 0.48V 5．试问图示 MOSFET 处于饱和状态还是非饱和状态？ 解： 图 (a) 是 P 沟 MOSFET，衬底接地， 因为 |UDS | ＞ |UGS | - |UT | 即 8V ＞ (5 - 3) V， 所以处于饱和工作状态。 图 (b) 是 N 沟 MOSFET，衬底也接地 由于 UDS ＞ UGS – UT 即 9 V ＞ (8 - 2) V 也处于饱和工作状态。 图 (c) 是衬底接负偏压的 N 沟MOSFET， 由于 UDS＜ UGS – UT 即 8V ＜ (12-2) V 将处于非饱和工作状态。 图(d) 是饱和工作状态的MOSFET，沟道端电压 (沿沟道的电压降) 固定在 18 - 3 V = 15V