检测技术期末课件.pptVIP

2、恒磁通式——永久磁铁与线圈相对运动 ①动铁式——图4-1-2（a） ②动圈式 平移型 图4-1-2（b） 旋转型 图4-1-2（c） ? 一、光电特性和光照特性 光电特性：当光电器件电极上的电压一定时，光电流I与入射于光电器件上的光通量Φ间的关系即I=F(Φ)。 光照特性：当光电器件电极上的电压一定时，光电流I与光电器件上照度E的关系即I=F(E)。 光电特性和光照特性曲线 图4-4-8。 要求：曲线斜率要大，且斜率最好是常数。 二、光谱特性 光谱特性：光电流(一般以最大值的百分数或相对 灵敏度表示)与入射光波长的关系I=F(λ) 当光电器件的光谱特性与光源辐射能量的光谱分布 协调一致时，光电传感器的性能较好，效率较高。 在检测时，光电器件的最佳灵敏度最好在需要测量 的波长处。 三、伏安特性 伏安特性：在给定的光通量或照度下，光电流I与光电器件两端电压U的关系即I=F(U) 应用：帮助我们计算选择光电元件的负载电阻，设计整个线路。 光电器件的基本特性 四、频率特性 频率特性：在同样的电压和同样幅值的光强度下，光电器件输出的光电流I或灵敏度S随入射光强度变化频率f的关系I=F1(f)或S=F2(f)。 频率特性曲线 图4-4-7 要求：曲线平直，且频带宽。 光电器件的基本特性 五、温度特性 温度特性：光电器件的光电特性和光谱特性随温度变化。 结论： 1）对温度的影响可采取温度补偿或修正措施； 2）可通过控制工作环境温度，达到最大灵敏度。 洛伦兹力 电场力 平衡时， 所以 作业： P130 3、4、10、12、17 4.5.3 霍尔传感器的应用 二、利用 与B的关系　　　　　　　　　　　　 可用于测量磁场及可转换为磁场的其它物理量 实例――霍尔式钳形电流表，通过测量电流产生 的磁场而测得该电流值。 图4-５-７ 4.5.3 霍尔传感器的应用 图4-5-7 霍尔式钳形电流表 光电发射型光电器件 光电管 最典型的是真空光电管和充气光电管 图4-4-2 图4-4-1 光电管基本电路 真空光电管适合于要求温度影响小和灵敏度稳定的场合； 充气光电管 适合于要求灵敏度高的场合。 光电倍增管（自学） 2、内光电效应 ――绝大多数的高电阻率半导体，受光照射吸收光 子能量后，会产生电阻率降低而易于导电的现象。 也称光导效应。 红限频率 图4-4-2 电子能级示意图 光导型光电器件 光敏电阻 不受光照时的电阻值――暗阻，一般在兆欧数量级， 受光照时的电阻值――亮阻。一般在几千欧以下。 光敏二极管、光敏三极管（第5章 半导体传感器） 3.光生伏特效应 ――适当波长的光照射半导体的PN结，由于结电场的作 用，引起PN结两端产生电动势的现象。 光电池 ――直接将光能转变为电动势的光电器件。 图4-4-3 PN结光生伏特效应原理图 4.4.2 光电器件的基本特性 图4-4-4 光电特性和光照特性曲线 图4-4-5 光谱特性曲线 图4-4-6 伏安特性曲线 图4-4-7 频率特性曲线 图4-4-8 温度变化对元件特性的影响 图4-4-18 光电传感器的基本组成 4.4.5 光电式传感器的基本组成和类型 1、光电式传感器的基本组成 图4-4-19 透射式光电传感器  应用：测量透明度和混浊度。 2、光电传感器的基本类型 图4-4-20 反射式光电传感器 应用：测量表面粗糙度 图4-4-21 辐射式光电传感器 应用：光电高温计和炉子燃烧监视装置。 　图4-4-22 遮挡式光电传感器 应用：测量物体面积、尺寸和位移等 例4-4-1图 路灯自动控制电路 4.5 霍尔传感器 4.5.1 霍尔效应 半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，称为霍尔效应，相应的电动势被称为霍尔电动势，半导体薄片称为霍尔片或霍尔元件。 霍尔效应的产生是由于电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。 图4-5-1 霍尔效应原理图 基片宽度两侧面间由于电荷积累形成的电位差，称为霍尔电压。 控制电流 n——N型半导体载流子浓度 所以 霍尔灵敏度 霍尔电势表达式 4.5.2 霍尔传感器组成与基本特性 一、霍尔元件 1）材料——多用N型半导体 2）结构和符号 图4-5-2 霍尔片——半导体薄片（因为d小，KH大） 引线——激励电极（短边端面）引线11′、 霍尔电极（长边端面）引线22′。 封装外壳——陶瓷或环氧树脂 4.5.2 霍尔传感器组成与