第十四章二极管和晶体管方案.ppt

电 工 学（电子技术） 二极管电路分析举例 半导体二极管图片 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 5.2 电流放大原理 N N P RB EB EC 集电结反偏 发射结正偏 发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 电子与基区空穴复合形成IB IB 穿过集电结形成IC IC 三个极电流的关系为 IC与IB之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使 发射结正偏，集电结反偏。 下一页 上一页 首 页 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 3DG100晶体管的 输入特性曲线 O 0.4 0.8 IB/?A UBE/V UCE≥1V 60 40 20 80 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 共发射极电路 IC EC=UCC IB RB + UBE ? + UCE ? EB C E B IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 3DG100晶体管的输出特性曲线 在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管 的输出特性曲线是一组曲线。 晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分为三个工作区 3DG100晶体管的输出特性曲线 IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 (1) 放大区 在放大区 IC = ? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 对 NPN 型管而言, 应使 UBE 0, UBC 0，此时， UCE UBE。 Q2 Q1 大 放 区 IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 (2) 对NPN型硅管，当 UBE0.5V时, 即已 开始截止, 为使晶体 管可靠截止 , 常使 UBE? 0。截止时, 集 电结也处于反向偏 置(UBC 0),此时, IC? 0, UCE? UCC 。 IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。 IB = 0 时, IC = ICEO(很小)。(ICEO0.001mA) 截止区 IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 IC ? UCC/RC 。 当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)， 晶体管工作于饱和状态。 饱和区 * 蔡昌春fload_cai@163.com 1. 本课程的性质 是一门基础课 2. 特点 ?非纯理论性课程 ?实践性很强 ?以工程实践的观点来处理电路中的一些问题 3. 研究内容 以器件为基础、以信号为主线，研究各种电子电路的工作原理、特点及性能指标等。 4. 教学目标 能够对一般性的、常用的电子电路进行分析，同时对较简单的单元电路进行设计。 5. 学习方法 重点掌握基本概念、基本电路、基本方法。 6. 成绩评定 平时：30 %(