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2016-12-26 发布于北京
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4. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管，所发出的焦耳热为： PC =ICUCE 必定导致结温度上升，所以PC 有限制。 PC?PCM Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. § 1.4 场效应管(Field Effect Transistor,FET) 结型场效应管（JFET) 绝缘栅型（MOSFET) N沟道JFET P沟道JFET N沟道MOSFET P沟道MOSFET 增强型NMOS 耗尽型NMOS 增强型PMOS 耗尽型PMOS Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N 衬底：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极导电沟道 1.4.1结型场效应管一、结构 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二、工作原理（以N沟道为例） UDS=0V时 PN结反偏，UGS 越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ID UDS=0V时 UGS 越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。但当 UGS 较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.2.5 二极管的等效电路 1. 理想模型理想二极管：（1）正向导通时死区电压和导通压降均为零，正向导通电流为无穷大。（2）反向截至时，反向电流为零，反向击穿电压为无穷大。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2 开关等效模型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3 折线模型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4. 微变等效模型 iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比：显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. RL ui uo ui uo