静电场中的电介质参考答案.docVIP

3.1 填空题 位移极化、取向极化 无极分子、位移极化 ， 7.08×10-5 C·m-2 、1、 增大、增大 ，、 3.2 选择题 B C B C C D D B D C 3.3证明及简答题 证明：以球心为中心，作半径为r的球形闭合曲面包围该金属球，其D通量为 由电介质中的高斯定律得 ， 得 ，或 证明：作柱面高斯面，其上底位于介质中，下底位于金属板中，为侧面，柱轴线垂直于金属板。由高斯定理， ，故 ， 答：从微观看，金属中有大量自由电子，在电场的作用下可以在导体内位移，使导体中的电荷重新分布，结果在导体表面出现感应电荷，达到静电平衡时感应电荷所产生的电场与外加电场相抵消，导体中的合场强为零，导体中自由电子的宏观移动停止。在介质中，电子与原子核的结合相当紧密，电子处于束缚状态，在电场的作用下，只能作一微观的相对位移或者它们之间连线稍微改变方向，结果出现束缚电荷。束缚电荷所产生的电场只能部分地抵消外场，达到稳定时，电介质内部的电场不为零。 3.4 计算题 解：分别用和表示介质抽出前后电容器的电容，和。表示介质抽出前后电容器极板上的电量。 设在介质抽出电容器的过程中，电源作功，外力作功，电场能增量，由功能原理有 由于电容器与电源相连，因而介质抽出前后电容器两极板间电压不变，即 ? 由此得 而：， ? 于是： 又： 最后得 显然 解：设极板电量为±Q （1）由 （高斯定理） 知 （1） （2） 又 代入（1）（2）得： （2） 解：(1) 场具有对称性，由高斯定理 ，得 又 所以， （2） 解：设沿轴线单位长度带电量内筒为，外筒为，由高斯定理可得二筒间电位移的大小 ? 再由可得内、外层电介质中总电场强度的大小分别为 因此有 根据题设条件，有 即 又因，所以 即 故外层电介质先达到击穿场强。因此，随着电压的升高，外层电介质先被击穿。这时击穿场强，即 相应的电势差即两筒间的最大电势差为 ? 讨论： （1）当两层电介质内时，随着外电压的升高，内层电介质先被击穿； （2）当两层电介质内时，随着外电压的升高，外层电介质先被击穿。 由此可见，在电压升高时，总是电场最强的电介质层首先被击穿。因此，电缆外总包着多层绝缘介质，各层电介质的电容率和击穿场强也不相同。合理地配置各层绝缘介质，在电场最强的地方使用电容率和击穿场强大的电介质，既节约材料，又可提高电器的耐压能力。 解：介质中的场强： =5×105（伏/米） （千伏/厘米） 空气中的场强： （伏/米） （千伏/厘米） 这时空气被击穿，此电容器也就被击穿了，当极板间全部是空气时， （千伏/厘米） 此时电容器不会被击穿. 证：设沿轴线单位长度内、外筒带的电量为内层介质中的场强： 外层介质中的场强： 故内层介质中场强最大值： 外层介质中的场强最大值： 又 即： 因两种介质的击穿场强都是，故电压上升时外层介质中场强首先达到使其击穿. 由 得出： 解：当导体处于静电平衡状态时，电荷只分布在导体的表面上，所以圆柱导体内部的 场强=0。圆柱导体外部的电场：由于电荷分布具有柱对称性，所以周围空间激发的电场也具有柱对称性。在柱体外，作一如图所示的圆柱形高斯面，由对称性可知，圆柱侧面上各点的大小相等，方向沿着其圆心在轴上的圆的径向方向，利用介质中的高斯定理，可得： 可得 由 可得 在介质面上任取一点B，过该点作界面的法向单位矢量（由电介质指向金属） 则 由于圆柱导体内部的=0，所以 P1n=0， 所以 解：因是均匀电介质，故,在界面处作一底面积为ΔS的柱面，被包围导体面上的自由电荷的电荷量为，根据高斯定理，自由电荷在介质中激发的电场为： 而极化电荷面密