三极管MOS管工作原理及详解题稿.ppt

半导体三极管，又称为双极结型晶体管（BJT） 三极管的电流放大条件 内部：发射区高掺杂，基区很薄，集电结面积大 外部：发射结正偏，集电结反偏 电压分配关系 由放大状态进入截止状态的临界情况是发射结电压为零，此时基区的反向电流分别流入发射极和集电极。 由于内部结构原因，集电区掺杂的浓度低，正偏的集电区不能提供大量的电子发射，发射结也不能有效收集电子，所以倒置状态电流放大倍数很小，不采用。 例1. 放大电路如图所示，在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管 例2. NPN型接法如下。UBE=0.7V，分析电路中三极管处于何种工作状态 例2. NPN型接法如下。UBE=0.7V，分析电路中三极管处于何种工作状态 例2. NPN型接法如下。UBE=0.7V，分析电路中三极管处于何种工作状态 三极管共射输入特性曲线研究共射电路输入端IB和UBE的关系。 一般来说， IB和UBE的关系就是一个PN结的特性曲线关系。 UCE=0V时，三极管饱和，IB较大。 UCE≥1V时，三极管放大状态，IB比饱和状态稍少，以后随着UCE增大，IB增大不明显。 1. 直流参数 共射直流放大系数 共基直流放大系数 极间反向电流 ICBO：发射极开路，集电结的反向饱和电流 ICEO：基极开路，集电极与发射极间穿透电流 2. 交流参数 共射交流放大系数 共基交流放大系数 3. 极限参数 极间反向击穿电