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《模拟电子技术》期末总复习 抓住基本概念基本知识和基本分析方法； 注重知识的综合应用。 第2章 半导体器件基础 2.1.1半导体特性 掺杂可改变和控制半导体的电阻率 温度可改变和控制半导体的电阻率 光照可改变和控制半导体的电阻率 2.1.2 本征半导体 排列整齐、纯净的半导体称为本征半导体。 两种载流子（电子、空穴），成对出现。 在电场作用下，载流子作定向运动形成漂移电流。 第2章 半导体器件基础 2.1.3杂质半导体 （1）N型半导体（本征半导体＋5价元素） 电子为多数载流子，空穴为少数载流子 （2） P型半导体（本征半导体＋3价元素） 电子为少数载流子，空穴为多数载流子 2.1.4载流子的扩散与漂移运动 扩散运动是由于载流子浓度梯度产生的。 扩散运动形成扩散电流 漂移运动在电场作用下产生的。漂移运动形成漂移电流。 第2章 半导体器件基础 2.2.1PN结 形成过程：扩散?扩散、漂移?扩散＝漂移 第2章 半导体器件基础 2.2.3 PN结反向击穿特性 （1）电击穿（可逆） 雪崩击穿－发生在掺杂浓度较低、反压较高（6V）的PN结中。 齐纳击穿－发生在掺杂浓度较高、反压不太高（6V）的PN结中。 （2）热击穿（不可逆，会造成永久损坏） 第2章 半导体器件基础 PN结总电容Cj:Cj=CT+CD PN结正偏时，以扩散电容为主； PN结反偏时，以势垒电容为主。 第2章 半导体器件基础 2.3半导体二极管 2.3.1二极管伏安特性（单向导电性） : 第2章 半导体器件基础 2.3.2二极管的等效电阻 等效电阻为非线性电阻，与工作点有关。 直流电阻: 第2章 半导体器件基础 2.3.3 二极管的主要参数 最大正向平均电IF; 最大反向工作电压URM(=UB/2)； 反向电流IR； 最高工作频率fM。 2.3.4 稳压二极管(利用电击穿特性) 稳压条件：反向运用,Iz,minIzIz,max 2.3.5 变容二极管（利用势垒电容） 使用条件：反向运用（加反向偏压） 第2章 半导体器件基础 2.4 双极型晶体管 2.4.1 晶体管的四种运用状态 放大状态：发射结正偏，集电结反偏 饱和状态：发射结、集电结均为正偏 截止状态:发射结、集电结均为反偏 反向状态：发射结反偏，集电结正偏 第2章 半导体器件基础 2.4.2晶体管的电流分配关系 共基组态: 共射组态: IC、IB 、IE的关系：IC+IB=IE 第2章 半导体器件基础 2.4.3晶体管的参数） 1.直流参数： （1）直流电流放大系数： （共基）、 （共射）随ICQ变化 （2）极间反向饱和电流:ICBO、ICEO、IEBO（越小越好） 2.交流参数： （1）交流电流放大系数： （共基）、 （共射）随ICQ变化 （2）特征频率fT:?随f增加而下降到1时对应的频率。 3.极限参数： （1）集电极最大允许电流ICM: 下降到 时所对应的IC值。 （2）反向击穿电压：UCBO,BUCEO,BUEBO,B （3）集电极最大允许耗散功率PCM：实际使用时PcPCM 第2章 半导体器件基础 2.4.4温度对晶体管参数的影响 T?? 第2章 半导体器件基础 2.5场效应管 2.5.1分类 第2章 半导体器件基础 2.5.2MOSFET 1.增强型MOSFET 第2章 半导体器件基础 2.5.2MOSFET 2.耗尽型MOSFET 可变电阻区: 第2章 半导体器件基础 2.5.3 JFET（属耗尽型） 恒流区： 第2章 半导体器件基础 2.5.5 FET的主要参数 1.直流参数 阈值电压:(增强型)开启电压UGS,th;(耗尽型)夹断电压UGS,off 。 饱和漏电流IDSS:耗尽型FET参数（uGS=0,uDS=10V时测得） 直流输入电阻：JFET: RGS=108~1012?, MOSFET: RGS=1010~1015 ? 2.交流参数 跨导gm: 转移特性曲线在Q点处的切线斜率 衬底跨导gmb: 反映衬底偏置电压对iD的影响 跨导比： 第2章 半导体器件基础 2.5.5 FET的主要参数 3.极限参数 栅源击穿电压UGS,B 漏源击穿电压UDS,B 最大漏极耗散功率PDM 2.5.6 FET的特点 （1）单极型器件