计算机组成原理实验报告,存储器的原理及应用方案.docVIP

实 验 报 告 课程名称： 计算机组成原理 实验项目： 存储器的原理及应用 姓 名： 刘斌 专 业： 计算机科学与技术 班 级： 计算机14-6班 学 号： 1404010612 计算机科学与技术学院 实验教学中心 2016 年 6 月 20 日 实验项目名称： 存储器的原理及应用 实验目的 1．了解程序存储器EM 的工作原理及控制方法 2．了解存储器读写方法。 二、实验内容 利用 COP2000 实验仪上的 K16..K23 开关做为 DBUS 的数据，其它开关做为控制信号，实现程序存储器EM 的读写操作。 三、实验用设备仪器及材料 计算机、伟福 COP2000系列 计算机组成原理实验系统 四、实验原理及接线 内存中通常存放指令和数据，当内存存放指令时，将指令送指令总线；当内存存放数据时，将数据送数据总线。 如图所示，它主要由一片RAM 6116 组成，RAM6116是静态2048X8位的RAM，有11 条地址线，在COP2000 模型机中只使用8 条地址线A0-A7 ，而A8-A10接地。存储器EM通过1片74HC245 与数据总线相连。存储器EM的地址可由PC或MAR提供。 存储器EM 的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS 的数据还可以来自一片74HC245。当ICOE 为0 时，这片74HC245 输出中断指令B8。 EM原理图 2存储器 uM 由三片 6116RAM 构成，共 24 位微指令。存储器的地址由 uPC 提供, 片选及读信号恒为低, 写信号恒为高. 存储器uM 始终输出uPC 指定地址单元的数据。 连接线表 连接 信号孔 接入孔 作用 有效电平 1 J2座 J3座 将K23-K16接入DBUS[7:0] 低电平有效 2 IREN K6 IR,uPC写允许 低电平有效 3 PCOE K5 PC输出地址 低电平有效 4 MAROE K4 MAR输出地址 低电平有效 5 MAREN K3 MAR写允许 低电平有效 6 EEMEN K2 存储器与数据总线连接 低电平有效 7 EMRD K1 存储器读允许 低电平有效 8 EMWR K0 存储器写允许 低电平有效 9 PCCK CLOCK PC工作脉冲 上升沿打入 10 MARCK CLOCK MA工作脉冲 上升沿打入 11 EMCK CLOCK 写脉冲 上升沿打入 12 IRCK CLOCK IR,uPC工作脉冲 上升沿打入 五、实验操作步骤 1， 1、控制 k4、k5开关，观察PC\MAR输出地址选择： 1、K5、K4 = 0 1 pc输出地址 （PC红色灯亮） 2、K5、K4 = 1 0 MAR输出地址 （PC红色灯亮） 2、K5、K4 = 1 1 没有灯亮 2、K5、K4 = 1 0 MAR、PC同时输出地址 （MAR、PC红色灯同时亮） 2、存储器EM 写、读实验 将地址 0写入MAR 二进制开关K23-K16 用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 00 0 0 0 0 K3连接MAREN端，当低电平（0）时，MAR写允许 置控制信号为： K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0 1 1 1 0 1 1 1 按CLOCK键, 将地址 0 写入MAR 将数据11H写入地址00H 二进制开关K23-K16 用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据11H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 1 0 0 0 1 K4连接MAROE，当低电平（0）时，MAR输出地址 K2连接EEMEN，当低电平（0）时，存储器与数据总线连接 K0连接EMWR，当低电平（0）时，存储器写允许 置控制信号为： K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0 1 1 0 1 0 1 0 按CLOCK键, 将地址11H写入EM 读地址00H 中的数据11H K4连接MAROE，，MAR输出地址 K1连接EMRD，当低电平（0）时，存储器读允许 置控制信号为： K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0 1 1 0 1 1 0 1 学生做： 将数据55H写入地址22H，并读出 将数据45H写入地址33H，并读出 3、将数据打入地址为00的IR 指令寄存器/uPC实验 （1