13半导体二极管..pptVIP

部分国产半导体高频二极管参数表 3）几种稳压管的参数 材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于电子空穴的复合产生发光能量。是一种电变成光的能量转换器件。 电路中常用做指示或显示及光信息传送。 发光二极管的主要特性 VDD uD R uD= VDD ? iDR iD = f (uD) 1.2V 100 ? iD / mA 12 8 4 0 0.3 0.6 uD / V 1.2 0.9 M N 直流负载线 斜率? 1/R 静态工作点 也可取 UQ = 0.7V IQ= (VDD ? UQ) / R = 5 (mA) 二极管直流电阻 RD 斜率1/RD iD Q IQ UQ 1.3.5 二极管电路的分析方法 1）二极管电路的直流图解分析 电路中含直流和小信号交流电源时,二极管中含交、直流成分 VDD ui uD R C iD C 隔直流 通交流 当 ui = 0 时 iD = IQ UQ= 0.7V (硅)，0.2V (锗) 设 ui = sinwt iD / mA uD /V O VDD VDD/ R Q IQ wt O ui UQ iD / mA wt O id 斜率1/rD rd = UT / IQ= 26 mV / IQ 当 ui 幅度较小时， 二极管伏安特性在 Q点附近近似为直线 2）交流图解法 对于交流信号 电路可等效为 例1.3.6 ui = 5sin?t (mV)，VDD= 4 V，R = 1 k?，求 iD和uD [解] 1. 静态分析 令 ui = 0, 取 UQ ? 0.7 V IQ= (VDD?UQ) / R = 3.3 mA 2. 动态分析 rd = 26 / IQ = 26 / 3.3 ? 8 (?) Idm= Udm/ rd= 5 /8 ? 0.625 (mA), id = 0.625 sin?t 3. 总电压、电流 = (0.7 + 0.005 sin?t ) V = (3.3 + 0.625 sin?t ) mA VDD ui uD R C iD ui ud R id rd 3）微变等效电路分析法 1.3.6 稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。 伏安特性 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 应用电路 + UZ 电路符号 1）原理－利用PN结的反向击穿特性（雪崩击穿和齐纳击穿） 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。 (1) 稳定电压VZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。 rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =?VZ /?IZ 2）稳压二极管的参数 (3) 最大耗散功率 PZM —— 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZmax。 (4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作 电流IZmin ————— 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =VZIZmax 。而Izmin对应VZmin。 若IZ＜IZmin则不能稳压。 (5)稳定电压温度系数—温度的变化将使VZ改变 温度的变化将使VZ改变，在稳压管中： 当?VZ? ＞7 V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。 当?VZ?＜4 V时， VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。 当4 V＜?VZ? ＜7 V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 0.25 30 ≤10 0.005 10 6.1-6.5 2CW7C 0.25 15 ≤50 0.095 5 13.5 – 17 2CW20 0.25 33 ≤15 0.06 10 6 —75 2CW14 耗散功率 W 最大稳定电流 mA 动态电阻 ? 温度系数 %/度 稳定电流 mA 稳定电压 V 参数 型号 由表可以看出2CW7C的性能比较好。温