硅字工艺期末知识小点汇总.docVIP

硅工艺小知识点汇总 第一章 1、集成度每3年乘以4，线度每6年下降一半 集成设计包括底层设计和顶层设计，其中底层设计与硅工艺息息相关 芯片制造过程要有7次光刻，7块掩模板，并涉及到氧化，外延，扩散或离子注入，光刻，刻蚀，化学气象沉淀，金属化或钝化等工艺。 衡量硅片质量的七个标准：物理尺寸，微粗糙度，颗粒，氧含量，体电阻，晶体缺陷，平整度 外延层厚度=基区结深+收集区厚度+埋层上推距离+后续工艺所消耗的外延层厚度 第二章 1、选择扩散：通过特定的区域向硅内掺入一定量的杂质而其他区域不进行掺杂的方法 2、选择扩散的原理：杂质在SIO2中的扩散速度要远远小于在SI中的扩散速度 3、为什么掩蔽是相对的，有条件的？回答：因为杂质在SI 中扩散的同时也在SIO2中扩散，但是扩散系数相差几个数量级，扩散速度相差非常大。 第三章 1、发生扩散的必条件是扩散粒子具有浓度梯度和具有一定的温度 2、替位式扩散系数比间隙式扩散系数小很多，因此扩散也很慢 3、替位式杂质半径大，间隙式杂质半径小。而在SIO2网络中，网络形成者（替位式杂质）半径小，跟硅半径差不多大，网络改变者（间隙式杂质）半径大，多是离子。 4、扩散可分为固态源，液态源，气态源扩散，其中固态扩散可分为开管扩散，闭管扩散，箱法扩散，涂源法扩散（箱法扩散的杂质源是氧化物，用惰性气体AR等做保护气），液态源扩散的杂质源为化合物。 5、有限源与恒定源