MEMS工艺讲述.ppt

2. 电铸成形 电铸成形是根据电镀原理，在胎膜上沉积相当厚度金属以形成零件的方法。胎膜为阴极、要电铸的金属作阳极。 利用电铸方法制作出与光刻胶图形相反的金属模具。 在LIGA工艺技术中，把初级模板（抗蚀剂结构）膜腔底面上利用电镀法形成一层镍或其他金属层，形成金属基底作为阴极，所要成形的微结构金属的供应材料（如镍、铜、银）作为阳极 电铸时，直到电铸形成的结构刚好把抗蚀剂模板的型腔填满 将整个浸入剥离溶剂中，对抗蚀剂形成的初级模板进行腐蚀剥离，剩下的金属结构即为所需求的微结构件 3.注塑 利用微塑铸制备微结构 将电铸制成的金属微结构作为二级模板 将塑性材料注入二级模板的膜腔，形成微结构塑性件，从金属模中提出 也可用形成的塑性件作为模板再进行电铸，利用LIGA技术进行三维微结构件的批量生产 优势 1. 深宽比大，准确度高。所加工的图形准确度小于0.5μｍ，表面粗糙度仅10nm，侧壁垂直度89.9°，纵向高度可达500μｍ以上 2.用材广泛。从塑料（PMMA、聚甲醛、聚酰胺、聚碳酸酯等）到金属（Au、Ag、Ni、Cu）到陶瓷（ZnO2）等，都可以用LIGA技术实现三维结构 3.由于采用微复制技术，可降低成本，进行批量生产 工艺流程图 同步辐射X光(波长1nm) Au掩膜版 PMMA光刻胶(厚达1000um) 电铸 塑铸 深宽比可超过100 亚微米精度的微结构 光刻 LIGA 工艺基本流程图 生产周期较长 生产成本高 特点： 通过腐蚀的方法对衬底硅进行加工，形成三维立体微结构的方法 加工对象通常就是单晶硅本身 加工深度通常为几十微米、几百微米，甚至穿透整个硅片。 与集成电路工艺兼容性差 硅片两个表面上的图形通常要求有严格的几何对应关系，形成一个完整的立体结构 分类 ? 体硅腐蚀技术是体硅微机械加工技术的核心 ? 可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀两大类 ? 按腐蚀剂是液体或气体又可分为湿法和干法腐蚀。 硅的湿法腐蚀 1) 硅的各向同性腐蚀 腐蚀液对硅的腐蚀作用基本上不具有晶向依赖性. 2)硅的各向异性腐蚀 腐蚀液对硅的不同晶面有明显的晶向依赖性，不同晶面具有不同的腐蚀速率 EPW腐蚀液，晶向依赖性(100):(111)=35:1 TMAH腐蚀液，(100):(111)=10~35:1 3)硅的各向异性停蚀技术 各向异性腐蚀特点：有完整的表平面和定义明确的锐角 ? 影响各向异性腐蚀的主要因素 (1) 溶液及配比 (2) 温度 (3) 掺杂浓度 例如：当硅片中掺B浓度增加到1020cm-3时，KOH溶液的腐蚀速率要降低到低掺杂浓度时的1/20,这样实际上就可利用高B掺杂区作为腐蚀阻挡层。 硅各向异性湿法腐蚀的缺点 ? 图形受晶向限制 ? 深宽比较差, 结构不能太小 ? 倾斜侧壁 ? 难以获得高精度的细线条。 体硅的干法刻蚀 ? 干法刻蚀体硅的专用设备:电感耦合等离子刻蚀机(ICP) ? 主要工作气体：SF6, C4F8 ? 刻蚀速率：2~3.5μm/min ? 深宽比：10:1 ? 刻蚀角度：90o±1o ? 掩膜：SiO2、Al、光刻胶 硅园片 淀积结构层 刻蚀结构层 淀积牺牲层 刻蚀牺牲层 释放结构 淀积结构层 刻蚀结构层 表面微机械加工技术 ? 微加工过程都是在硅片表面的一些薄膜上进行的，形成的是各种表面微结构，又称牺牲层腐蚀技术。 ? 特点：在薄膜淀积的基础上，利用光刻，刻蚀等IC常用工艺制备多层膜微结构，最终利用不同材料在同一腐蚀液中腐蚀速率的巨大差异，选择性的腐蚀去掉结构层之间的牺牲层材料，从而形成由结构层材料组成的空腔或悬空及可动结构。 ? 优点：与常规IC工艺的兼容性好; 器件可以做得很小 ? 缺点：这种技术本身属于二维平面工艺，它限制了设计的灵活性。 关键技术 薄膜应力控制技术 防粘连技术 牺牲层技术 牺牲层技术 表面牺牲层技术是表面微机械技术的主要工艺 基本思路为：在衬底上淀积牺牲层材料→利用光刻、刻蚀形成一定的图形→淀积作为机械结构的材料并光刻出所需要的图形→将支撑结构层的牺牲层材料腐蚀掉→形成了悬浮的可动的微机械结构部件。 要求在腐蚀牺牲层的同时几乎不腐蚀上面的结构层和下面的衬底。牺牲层技术的关键在于选择牺牲层的材料和腐蚀液 常用的牺牲层材料、腐蚀液及结构材料 一种最简单的悬臂梁工艺 工艺过程示意图 附加凸起点工艺 薄膜应力控制技术 薄膜的内应力和应力梯度是表面微机械中的重要参数，对机械结构的性能和形变影响很大，往往是表面微结构制作失败的原因 防粘连技术 粘连是指牺牲层腐蚀后，在硅片干燥过程中，应该悬空的梁、膜或者可动部件等表面微结构，受液体流动产生的表面张力、静电力、范得华力等作用而与衬底发生牢固得直接接触，从而导致器件失效 防止方法： 设计特殊结构 改进释放方法 做表面处理 键合(bonding)技术 在微型机械