N阱CMOS薄膜工艺讲述.docVIP

《微电子技术综合实践》设计报告 题目： N阱CMOS芯片薄膜工艺设计 院系： 自动化学院电子工程系 专业班级： 学生学号： 学生姓名： 指导教师姓名： 成绩：  题目一：n阱CMOS芯片制作工艺设计 一．设计指标要求 1. 特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn取600cm2/V·s） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp取220cm2/V·s） 2. 结构参数参考值： p型硅衬底的电阻率为50 ((cm； n阱CMOS