半导体物理学习题解剖.doc

半导体物理习题解答 第一章 1－1．（P35）设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： Ec(k)=+和Ev(k)= －； m0为电子惯性质量，k1＝1/2a；a＝0.314nm。试求： ①禁带宽度； ②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量； ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据＝＋＝0；可求出对应导带能量极小值Emin的k值： kmin＝， 由题中EC式可得：Emin＝EC(K)|k=kmin=； 由题中EV式可看出，对应价带能量极大值Emax的k值为：kmax＝0； 并且Emin＝EV(k)|k=kmax＝；∴Eg＝Emin－Emax＝＝ ＝＝0.64eV ②导带底电子有效质量mn ；∴ mn＝ ③价带顶电子有效质量m’ ，∴ ④准动量的改变量 △k＝(kmin-kmax)= 1－2．（P35）晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E，∵F=h=qE（取绝对值） ∴dt=dk ∴t==dk= 代入数据得： t＝＝（s） 当E＝102 V/m时，t＝8.3×10－8（s）； 当E＝107V/m时，t＝8.3×10－13（s）。 第三章 3－7．（P88）①在室温下，锗的有效状态密度Nc＝1.05×1019cm3，Nv＝5.7×1018cm3，试求锗的载流子有效质量mn*和mp*。计算77k时的Nc和Nv。已知300k时，Eg＝0.67eV。77k时Eg＝0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77k，锗的电子浓度为1017cm3，假定浓度为零，而Ec－ED＝0.01eV,求锗中施主浓度ND为多少？ 室温下，T = 300k（27℃）, k0 =1.380×10-23 J/K，h = 6.625×10-34 J·S， 对于锗：Nc ＝1.05×1019cm3，Nv =5.7×1018cm3： 300k时的Nc和Nv： 根据（3－18）式： 根据（3－23）式： 求77k时的Nc和Nv： 同理： cm-3 求77k时的ni： cm-3 3－14．（P89）计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 [解]对于硅材料，300K下，杂质完全电离： ND=9×1015cm-3；NA＝1.1×1016cm-3； T＝300k时 ni=1.5×1010cm-3： ； ∵且 ∴ ∴ 3－18．（P89）掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和磷的浓度。 [解]n型硅，△ED＝0.044eV，依题意得： ∴ 3-39 ∴ ∴ ∵ ∴ 3－19．（P89）求室温下掺锑的n型硅，使EF＝(EC＋ED)/2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。 [解]由可知，EFED，∵EF标志电子的填充水平，故ED上几乎全被电子占据， 又∵在室温下，故此n型Si应为高掺杂，而且已经简并了。 ∵ 即 ；故此n型Si应为弱简并情况。 ∴ 3-115 3－20．（P89）制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的EF位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。 [解] ①根据第19题讨论，此时Ti为高掺杂，未完全电离： ，即此时为弱简并 ∵ 其中 第四章 4－2．（P123）试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V·S和500cm2/V·S。当掺入百万分之一（1×10-6）的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍？ [解]T=300K,，μn＝1350cm2/V·S，μp＝500 cm2/V·S 掺入As浓度为ND＝5.00×1022×10-6＝5.00×1016cm-3 杂质全部电离，，查P106页，图4－14可查此时μn＝900cm2/V·S 4－13．（P124）掺有1.1×1016 cm-3硼原子和9×1015 cm-3磷原子的Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。 [解] NA＝1.1×1016 cm-3，ND＝9×1015 cm-3 可查图4－15得到Ω·cm 4－15．（P124）施主浓度分别为1013和1017