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实验6：电桥法测中、低值电阻（箱式电桥） 一、实验目的 1．了解测量低电阻时接线电阻和接触电阻的影响及避免方法； 2．掌握用箱式单臂电桥测量电阻的原理和方法； 3．学习用双臂电桥测量低电阻的原理和方法。 二、实验器材（型号、规格、件数） 1、DHQJ-5教学多功能电桥1个， 2．QJ23a型单臂电桥 2．QJ44型直流电桥 待测电阻器1个， 铜线2根， 导线2根。 三、实验原理（包括电路图参见教材） 四、实验内容 1．用单臂电桥测电阻 2．用双臂电桥测电阻 五、实验记录：实验条件、数据、图型等 六、实验数据处理、图表、分析、结论 注意： 电桥工作电压是和所测电阻值大小相匹配的，目的在保护较高测量精度下，扩大量程范围，要求测试时注意选择合适的工作电压。1.5V电压，单臂电桥也可使用，双臂电桥只能使用1.5V电压，选择其它工作电压反而会大大降低双臂电桥的测试灵敏度。 为减少被测电阻热效应，影响测试精度，要求工作电源开关B，随测随开，测完关断。 尽量避免R1，R2，R3阻值同时过低使用。 仪器使用完毕，应该关断电源，避免意外事故发生。 实验8：霍耳效应及应用（参考内容2.） 一、实验目的： 1．了解霍耳效应实验原理 2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量实验试样（霍尔元件）的VH—Is曲线、 VH—IM曲线。 3．确定试样（霍尔元件）的导电类型（N型或P型）。 二、实验器材（型号、规格、件数） 霍耳效应实验仪（HLD—HL--IV型）1台、 霍耳效应测试仪（HLD—HL--IV型）1台 专用测试线6根 [仪器简介] 仪器外观图 图二 实验仪电路连接图 实验原理 将一导电体（金属或半导体）薄片放在磁场中，并使薄片平面垂直于磁场方向。当薄片纵向端面有电流I流过时，在与电流I和磁场B垂直的薄片横向端面AA’间就会产生一电势差，这种现象称为霍耳效应（Hall effect），所产生的电势差叫做霍耳电势差或霍耳电压，用VH表示。 霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力f洛作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷集累，从而形成附加的横向电场，即霍耳电场EH。 对实验所用试样（霍尔元件），在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，则在Y方向有霍耳电场EH。 当试样中载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力evB相等时，样品两侧电荷积累达到平衡，因此有： f洛=F横向电场力 evB=eEH (1) 若霍尔元件几何参数如图已知，且n为载流子浓度，v为载流子在电流方 向上的平均漂移速度。有Is=nevbd (2) 由（1）（2）两式可得：VH =EHb=IsB/ned 则VH =RH（IsB/d） (3) Is—X方向电流 Y IM-----IM励磁电流（B磁场Z方向） RH=1/ne----霍尔系数 X VH---霍尔电压 Z 由(3)式知：在外磁场不太强时，霍耳电压与工作电流和磁感应强度成正比，与薄片厚度成反比。VH ( Is；VH ( IM（B）；VH (1/d 四．实验内容 测绘试样（霍尔元件）VH—Is曲线 2、测绘试样（霍尔元件）VH—IM曲线 3、确定试样（霍尔元件）的导电类型（N型或P型）。 五、实验记录与数据处理 1．实验准备： 1）记录励磁线圈相关参数: 2）测试仪开机前检查Is，IM调节旋纽是否逆时针旋到底，使其输出电流趋于最小状态， 确定后再开机。 按图二所示电路连接图连接好实验电路。注意输出电流与输入电流的正负极性（红线接正极、黑线结负极）。 提醒： 本实验的器件很容易损坏,有以下几点需要特别注意： 1）接好线路需要老师检查后方可通电，这主要是为了避免将测试仪的励磁电源“IM 输出” 误接到实验仪的“Is 输入”或“VH输出”处，否则一通电，霍尔器件即被破坏！ 2）电路开、关、或功能切换时，一定要将Is、IM旋钮逆时针旋转到底，也就是把