第二章 半导体三极管及其基本放大电路课件.ppt

图1-18晶体管电流放大电路 返回 图2-5 输入特性曲线 返回 图2-6输出特性曲线 返回 图 2-10 三极管集电极的电流波形 返回 图2-8 三种组态 图2-9 固定偏置共射极放大电路 返回 图 2-12 基本共射放大电路的静态情况 返回 图 2-16 共射放大电路的交流通路 返回 图2-20 分压式偏置电路分析 返回 返回 带有发射极电阻Re的固定偏置式直流电路 返回 图2-21 共射电路分析-分压偏置式 (a) (b) 返回 返回 图2-22 共集电极放大电路 返回 返回 图2-23 共集电极放大电路-微变等效电路 返回 图2-24 共基极放大电路 (a) (b) 返回 返回 图2-25 共基极微变等效电路 返回 图2-26 耦合电路 返回 返回 返回 图2－27 返回 绝缘栅场效应管又称为MOS（Metal Oxide Semiconductor）管。它有N沟道和P沟道两类，且每一类又分为增强型和耗尽型两种。 1. N沟道增强型MOS管 (1).结构和符号 它是用一块杂质浓度较低的P型硅片为衬底，其上扩散两个N+区分别作为源极（S）和漏极（D），其余部分表面覆盖一层很薄的SiO2作为绝缘层，并在漏源极间的绝缘层上制造一层金属铝作为栅极（G），就