高光电转换效率,无衰减的太阳电池硅单晶的研制方案.pptVIP

高光电转换效率，无衰减的太阳电池硅单晶的研制 曾世铭1冯1，蒋建华1，蔡岳峰1,汪义川2，李剑2，黄治国2 1－常州美晶太阳能材料有限公司，江苏。 2－尚德电力控股有限公司，江苏，无锡。 报告内容 1.概述 2.工艺原理 3.单晶拉制实验 4.实验结果,讨论以及结论 5.结语 1.概述 施正荣博士，杨德仁教授和Ines Rutsachman 等人指出解决转换效率低的关键是原料的纯度以及采用以下三个方法： 1.可降低和控制单晶氧含量的磁场直拉法（MCZ法）。 2.用镓或铟元素取代硼作为P型掺杂剂的拉晶方法。 3.采用磷合金作为N型掺杂剂的拉晶方法。 对这三种方法的普遍认知是：MCZ法虽能控制和降低单晶中的氧含量，但是需要配置磁场设备并提供其激磁电源，必然增加成本。而第二种方法中由于镓和铟的分凝系数问题，使单晶头尾间的轴向电阻率变化太大，使得实施起来很复杂，不利于工业化生产。使用磷掺杂的N型单晶，必须要改变电池制作工艺。 经过探讨，我们还是选定了掺镓的单晶拉制工艺。 2. 工艺原理 众所周知镓的分凝系数是8 X 10－3，而铟的是4 X 10－4，的确大大小于硼的分凝系数8 X 10－1。 表面看来掺镓或铟的硅单晶轴向电阻率控制必然比掺硼的难度大些，也复杂些。但是太阳电池对单晶电阻率的数值和分布范围要求比较宽松，例如0.5－6.0欧姆厘米。因此这就不会成为问题。