2011年CMOS模拟集成电路复习提纲.docVIP

2011年《大规模集成电路分析与设计》复习提纲 一、填空题。（每空3 分，共36分） 二、简答题（每小题10分，共40分） 三、四，问答题或计算题（共计24分，（每小题6分，共12分）） 红色部分为本课程必须掌握的基本内容。 第一章 绪论 略。 第2章MOSFET的工作原理及器件模型分析 重点内容： ＊ CMOS 模拟集成电路设计分析的最基本最重要的知识：MOS器件的三个区域的判断，并且对应于各个区域的ID表达式，和跨导的定义及表达式。 ＊ 定性分析栅源与栅漏电压对沟道电荷的影响，并能画出N沟道增强型MOSFET的各种情况下的横截面图。 ＊ 体效应的概念，体效应产生的原因，及体效应系数。 ＊ 沟道调制效应的概念，沟长调制效应产生的原因，沟道电阻，与沟道长度成反比。 ＊ 以NMOS为例来分析阈值电压产生的原理，并画出VGS=0，0VGSVTH以及VGSVTH的NMOS沟道电荷的示意图。 ＊ MOS管完整的小信号模型。 MOSFET 的I-V 特性 1. ,MOS管截止 2. ,MOS管导通 a.,MOS管工作在三极管区; 当时,MOS工作于深Triode区,此时 ,为直线关系. 导通电阻: b.,MOS管工作在饱和区; 跨导gm：是指在一定的VDS下，ID对VGS的变化率。 饱和区跨导： 三极管区跨导： MOSFET 的结构电容（各电容的表达式见书） MOSFET 的小信号模型 MOS器件在某一工作点附近微小变化的行为,称为小信号分析.此时MOS器件的工作模型称为小信号模型. MOS管的交流小信号模型是以其直流工作点为基础的。 MOS器件是一个压控器件。以NMOS FET为例，它处于三个直流电压偏置状态：VGS 、VBS、VDS。这三个偏置电压中任意一个发生改变，都会引起器件沟道电流的变化。于是定义三个参数： 栅跨导: 衬底跨导: 沟道电导: 于是得到小信号电流的表达式： 单级放大器 重点内容： ＊掌握以电阻为负载的CS、CD、CG、Cascode等结构的直流大信号的分析； ＊掌握二极管为负载的共源放大器、恒流源为负载的共源放大器、带源极负反馈电阻的共源放大器的小信号增益的表达式； ＊掌握Source Follower的小信号增益的分析、输出阻抗的分析； ＊掌握CG结构的小信号增益的分析、输入阻抗的分析、输出阻抗的分析及相关的表达式； ＊掌握Cascode结构的小信号增益的分析、输出阻抗的分析及其相关的表达式； Ⅰ）对比这两个结构的直流大信号特性； Ⅱ）对比这两个结构的交流小信号的分析： ＊增益的表达式 ＊输出阻抗的表达式 ＊会针对不同的实际电路结构作出它的小信号模型，并利用小信号模型来求解它们的输入阻抗、输出阻抗及小信号的增益； 大信号分析： 根据已知条件，判断器件的工作状态，并根据其电流方程对电路进行分析。 增益分析方法： a.数学推导的方法 先判断电路中MOS器件的工作状态，根据其电流方程以及电路中的电流关系，得到输出电压（大信号）与输入电压之间的关系表达式，最后对输入电压求微分。 b.小信号模型 先根据MOS器件的小信号模型，画出电路的小信号模型，然后列出电路结点的KCL、KVL方程，最后得到输出电压（小信号）与输入电压的关系表达式，并求它们的比值。 ＊以电阻做负载的共源放大器或者共漏放大器的电路图，以NMOS管作为输入管的放大器为例，定性分析电路的大/小信号，画出不考虑沟长调制效应的小信号等效电路图，并写出电压增益表达式。 差动放大器 1.分析基本差分对的大信号特性和小信号特性; 大信号分析： 差模特性的大信号分析 以电阻作为负载的差分对，定性分析其大信号特性，并写出输入共模电平的范围。 共模特性的大信号分析 ＊共模电平的输入范围 最小共模电平：使M3工作在饱和区的最小输入电压； 最大共模电平：使M1工作在饱和区的最大输入电压。 ＊输出端的摆幅问题 差动对的电压摆幅，是指在共模直流电平的基础上叠加的交流小信号使输入器件不脱离饱和的输出端对应的最大范围。 b.小信号分析： 由电流电压方程导出小信号跨导及增益 因此，要掌握的计算过程，能够确定它的变化范围。 叠加法分析小信号特性 分别令和,求得在和的响应,然后再将两个响应叠加. ＊掌握用叠加法分析差分电路的小信号增益，并能用叠加法分析负载不对称情况下，差动电路的小信号增益。 半边电路法分析小信号特性 电路完全对称时，可用半边电路的概念，将差动电路分成两个独立的共源放大器，差动电路的增益就等于共源放大器的增益。 ＊掌握半边电路分析方法的原则，并能在分析不同负载的差分对时灵活运用半边电路法来分析差分放大器的增益，尤其掌握几种负载的情况:mos二极管的负载、mos恒流源的负载