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- 2016-12-28 发布于重庆
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第三章 晶体缺陷 第一章讲的晶体学基础,都是假设晶体完全处于理想状态,即晶体严格地按周期性的有规则的排列。 然而,对于现实中使用的材料来说,其原子或离子的排列不可能是完全规则的,即存在着晶体缺陷。晶体缺陷有其不可避免性。晶体缺陷的存在对于材料性能的影响是有利有弊的,有时人们要尽量避免、减少缺陷的存在;有时人们又要有目的地引入某种缺陷以改进材料的性能。对于这些原子或离子排列上的缺陷,我们必须用一分为二的观点来对待它。 第三章 晶体缺陷 按照缺陷区相对于晶体的大小,将晶体缺陷分为4类: (1) 点缺陷 典型代表有空位与间隙原子等 点缺陷在三维空间各方向上的尺寸都很小,所以也称为零维缺陷。如果晶格中某格点上的原子空缺了,则称为空位,这是晶体中最重要的点缺陷。脱位原子有可能挤入格点的间隙位置,形成间隙原子。 (2) 线缺陷 即位错 线缺陷在两个方向上的尺寸都很小,在另一个方向上延伸较长,也称为一维缺陷。 (3)面缺陷 如晶界、相界、孪晶界、堆垛层错等 面缺陷在两个方向上的尺寸都很大,在另一个方向上尺度较小,也称为二维缺陷。 (4)体缺陷 如沉积相、孔洞、气泡等 体缺陷在三维空间各方向上的尺寸都很大,所以也称为三维缺陷。 这些缺陷在晶体中的浓度很低,但是对晶体性质
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