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场效应管（回顾） N沟道增强型MOSFET 半导体BJT（回顾） 3.2.7 改进型TTL门电路——抗饱和TTL电路 抗饱和TTL门电路是目前传输速度较高的一类TTL电路。这种电路采用肖特基势垒二极管SBD钳位方法来达到抗饱和的效果。一般称为SBDTTL电路简称STTL电路。 如图是肖特基TTL与非门的典型电路。其中，除T4外，其余所有的BJT均采用SBD钳位，以达到明显的抗饱和效果。其次，基本电路中的所有电阻值这里几乎都减半。当然，电阻值的减小，必然引起门电路功耗的增加。 STTL门电路还有以下三点对基本TTL电路的性能作了改进： 1）二极管D被由T4和T5所组成的复合管所代替。 2）电路输入端增加的SBDDA和DB，用来减小由门电路之间的连线而引起的杂散信号。 3）基本电路中的Re2（1K）为由T6与RC6、Rb6的组合电路所代替。 3.6.3 抗干扰措施 利用逻辑门电路作具体的设计时，还应当注意下列几个实际问题： 电源的非理想，即有一定的内电阻，当数字电路运行产生较大的脉冲电流或尖峰电流时，各逻辑电路将通过内阻产生相互影响，甚至使逻辑功能发生错乱。 一种常用的处理方法是采用去耦合滤波电容，通常是用10~100μF的大电容器接在直流电源与地之间，滤除