3集成逻辑门电路..ppt

3 集成逻辑门电路 3.1 二、三极管开关特性 3.2 TTL集成逻辑门 3.3 CMOS集成门电路 3.4 逻辑门电路使用中的几个实际问题 上页 下页 后退 模拟电子 PMOS和NMOS由一个共同的信号控制，所以对于任意输入逻辑（0或1）互补的两个管子必然一个导通。 a. 当uI为低电平时 输出电压为高电平UOH ≈ VDD 由于MOSFET在截止时，其漏源极间的等效电阻109Ω以上，而导通时，其等效电阻仅几千欧。 T1管截止， T2管导通。 uI T1 T2 + － g2 g1 s2 d2 uO + － d1 s1 +VDD 两该电路实现了反相逻辑功能 uI T1 T2 + － g2 g1 s2 d2 uO + － d1 s1 +VDD b. 当uI为高电平时 输出电压为低电平 T1管导通， T2管截止。 UOL ≈ 0V 2. CMOS反相器的电压传输特性 a. 反相器的阈值电压为 UT≈1/2UDD b. 传输特性接近理想开关特性。 c. 反相器噪声容限大，抗干扰能力强。 3. CMOS反相器的主要特点 (1) 静态功耗低 反相器稳定工作时总是有一个管子处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流，因而静态功耗很低，有利于提高集成度。 由于过渡区变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等