5-场效应管放大电路..pptVIP

5、场效应（FET）管放大电路 §5.1 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 思考：MOSFET的如何达到电压放大的目的？ (二)、MOSFET的工作原理 (三)增强型N沟道MOS管的特性曲线 2、输出特性曲线： （三）、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 2、输出特性曲线： §5.3 结型场效应管(JFET) （一）、工作原理 当vGS＜0V时，耗尽层变宽 工作区：VPvGS?０,VDS0且 2、输出特性曲线： 三、结型场效应管的缺点： §5.2 、§5.3.3 场效应管放大电路的分析 (一）、场效应管的微变等效电路 1、分压偏置式共源电路的动态分析 2、共漏极电路（源极输出器）的动态分析 1、求电压放大倍数Av ３、求输出电阻 Ro 二、动态(微变等效法) 分析 JFET或MOSFET d g s vgs vds ig id s g vgs ig=0 rds gmvgs vds id d g vgs gmvgs vds ig=0 id d 简易等效 rds很大， 可忽略。 完全等效 JFET或MOSFET d g s vgs vds ig id g vgs gmvgs vds ig=0 id d 图中：gm---跨导,为给定值，或由下式计算： 对JFET或耗尽型MOSFET (二)、动态分析的步骤 步骤:原电路 交流通道 微变等效电路 计算动态值 vo vDD RS vi CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 1M G D S 交流通道 s g R2 R1 RG d RL RD vi vo 微变等效电路 vi s g R2 R1 RG d RL RD vo 交流通道 Ro=RD ……反相放大 ……输入电阻很大 ……输出电阻很大 id s g R2 R1 RG d RL RD vi vo ig=0 微变等效电路 vo +VDD RS vi C1 R1 RG R2 RL D S C2 G g R2 R1 RG s d RS RL 交流通道 g R2 R1 RG s d RS RL 微变等效电路 g R2 R1 RG s d RS RL g R2 R1 RG s d RS RL Ri 2、求输入电阻 Ri 求Ri的等效电路 ……输入电阻很大 ……电压跟随器 * 5.3 结型场效应管（JFET） 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.2 MOSFET放大电路 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 *5.5 各种放大器件电路性能比较 1、FET与BJT的区别 结型场效应管（JFET） 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 2、场效应管的分类： 电压控制元件， 输入电阻高， 温度稳定性好 慨述 BJT FET 双极性载流子参与导电， 电流控制元件， 输入电阻低， 温度稳定性差 单极性载流子参与导电， 有两大类: 不受静电影响 易受静电影响 不宜大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 （或绝缘栅场效应管） 一、分类及符号 MOSFET N 沟道耗尽型 N沟道增强型 P 沟道增强型 增强型 耗尽型 P 沟道耗尽型 g s d 衬底 g d 衬底 s g d s 衬底 g d s 衬底 二、增强型MOSFET的结构、工作原理、 特性曲线 P N+ N+ g s d P型衬底 两个N区 SiO2绝缘层 金属铝 g s d 1、N沟道增强型 衬 底 （一）、结构 栅极 源极 漏极 N P+ P+ g s d g s d 2、P 沟道增强型 衬 底 ?A V vDS vGS iG g s d VGS V mA VDS iD R =0 VGS变化，iG=0 这与BJT不一样，那么MOSFET的如何达到电压放大的目的？ 以N 沟道增强型为例 P N+ N+ G S D ＶDS ＶGS UGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 iD=0 处于截止区 iG=0 工作区：当ＶＧＳ VT、 ＶＤＳ＞０时， iＧ=0、iD=is=0 ＶGS0时 ＶGS足够大时（ＶGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 VT称为开启电压 P N+ N+ G S D VDS ＶGS 外电场 形成外电场 电子上移 iD iG=0 工作区：当ＶＧＳ＞ＶＴ、ＶＤＳ＞０时， iＧ=0、iD=is=0，且iD随ＶＧＳ、 ＶＤＳ变化而变化 处于变阻区 VGSVT ＶGD=VGS-VDSVT P N+ N+ G S D ＶDS ＶGS iG=0 iD ＶDS增大,一方面使iD增大； 导电沟道电阻增大,　　 又使iD变小; VDS增加到VGS-VT（ VGD=VGS-VDS=VT）时，靠近