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AB类高摆幅COMS功率放大器
F.Mistlberger and R.Koch
摘要-功率放大器需要将面积小、静态功耗低和峰值电流大、输出电压摆幅高的特点相结合。对于使用一个5V单电源供电的情况,在A类输出级附近采用漏极耦合是实现上述要求的最好方式。然而,这些电路级存在较大的静态电流变化和交越失真。对于用在扩音器和更小的电话听筒上的功率放大器,已经提出了新的方案解决这些问题。这种放大器有1.2mA的静态电流,64mA的峰值电流,驱动25Ω的负载时输出摆幅为3.2V,并且S/THD大于60dB。
I.简介
出于降低成本和获得最大程度的灵活性的要求,有必要将功率放大器集成到通信CMOS芯片中。这些放大器常常要满足矛盾的要求,比如低静态电流以达到最小功耗,大信号电流,高输出摆幅以及低失真。在接下来的篇幅里,给出了一个用于扬声器和电话听筒并集成到编译码芯片ARCOFI-SP(Audio Ringing Codec Filter featuring Speakerphone Function,一种具有免提功能的音频振铃编解码器,过滤器接收路径的模拟部分(图1)包括一个低噪声(105)位二阶Σ-Δ转换器。传输路径的模拟部分包括两个16位二阶Σ-ΔD / A转换器 只有一个输出晶体管
只有一个输出晶体管
取均值
其中,假设两条支路的误差放大器开环增益(v),输出晶体管跨导(gm),输出晶体管的栅源电压(Vgs),和误差放大器的偏移电压差(VOS)相同。
为了保持低静态电流变化,只有约20dB或更低的开环增益是允许的。因此,有必要设置一个高增益的前置放大级来获得足够的可以满足S/THD,PSR等特性要求的开环增益。一个常见的扩展PSF的方法增加了一个额外的源跟随器(SF),具有相对小的晶体管的尺寸和输出电流消耗。
一种经常使用的误差放大器的拓扑结构是一个标准的差分级配上图4所示的电流镜负载及相应的n沟道输出晶体管。对于输出管上面的支路,使用相同的结构但是要将n管和p管互换。这种结构输出晶体管栅上的最大电压摆幅可以写成下面形式:
其中:,
我们可以得到:。令并且根据之间的关系,可以得出在Vout取最小值时,M10栅上的电压摆幅将达到最大值,结果如下:
较低的Vin要求大的VGSM10,但它只可能是一个较小的值。误差放大器相对于VSS的共模范围是有限的,这也限制了整个放大器的输出电压范围。
图5中是一个改进的误差放大器。附加的电流镜M5、M6提供了将输出晶体管M10的栅极与差分级的同相输出端相连所需的反相。那么缓冲输出电压和差分输出电压有了相同的极性,并且或多或少地同步变化。然而,使用了图4中的差分级后,负输出摆幅高出地电位一个阈值电压。添加了源跟随器后,差分级的共模范围可以扩展到地电位。差分级不对称的负载提供的偏置电压可以确保输出晶体管M10的静态电流为0。
输出晶体管M10的最大栅压计算如下:
其中,,假设VGSM7和VGSM2大小相等(但极性相反),因此有:,可以看出VDsatM5可以接近电源电压。但是,为了确保M10的高栅压摆幅,VDsatM5应该小于VDD/2从而使VGSM10的值可以高于VDD/2。例如:,那么,
达到了使用标准结构所能获得的值的两倍。
IV.测量结果
完整的功率放大器电路图如图6所示。这个放大器采用2微米双多晶硅、双
金属层工艺制造的。图7是两个采用桥架构的放大器的显微照片。必须通过双结合线实现低电阻连接,从而获得高达的电流。在完整的ARCOFI电路中,这种功率放大器由专门的、和其他芯片电源分开的电源供电。电源线宽度最高为100pm。
测量结果取自采用桥式连接的两个放大器,并在表I中进行了总结。差分负载包括一个50Ω电阻和一个300pF电容的并联。图8展示了放大器在输出电压峰-峰值为7.4V、频率为1Khz时的失真。二次和三次谐波系数低于75dB,远远优于指标,因此在减小面积和电流损耗方面对电路进行进一步的优化是可能的。在1Khz时测量的差分电源抑制比高于80dB,在1Mhz时仍然可以达到35dB。
作者衷心感谢E. Engelhardt提供的放大器版图,以及和J. Feldmann进行的有益的讨论。
参考文献
[l] J. A. Fisher and R. Koch, “A highly linear buffer amplifier,” IEEE J. Solid-Stare Circuits, vol. SC-22, pp. 330-334, June
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