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化学气相沉积技术 目录 化学气相沉积技术的基本概念 Ⅰ.化学气相沉积技术的定义 Ⅱ.化学气相沉积技术的分类 Ⅲ.化学气相沉积技术的发展历程 Ⅳ.化学气相沉积技术的基本原理 化学气相沉积技术的基本理论 Ⅰ.CVD技术 Ⅱ.CVD制备材料的生长机制 Ⅲ.化学气相沉积的反应过程 CVD技术在实验室的应用 化学气相沉积技术的发展历程 CVD是建立在化学反应基础上的，要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。用于CVD技术的通常有如下所述六种反应类型。 Ⅲ.化学气相沉积的反应过程 化学反应可在衬底表面或衬底表面以外的空间进行。 （1）反应气体向衬底表面扩散 （2）反应气体被吸附于衬底表面 （3）在表面进行化学反应、表面移动、成核及膜生长 （4）生成物从表面解吸 （5）生成物在表面扩散 在这些过程中反应最慢的一步决定了反应的沉积速率。 自从1991年Iijima 等发现纳米碳管以来在许多科技领域，准一维纳米材料的研究立刻引起了科学家们的极大关注。准一维纳米材料，例如纳米线、纳米棒、纳米管、纳米纤维、纳米晶须和纳米带等，是研究电子传输行为、光学特性和力学机械性能等物理性质的尺寸和维度效应的理想系统。正如2002年Appell在《Nature》杂志上撰文写道:“纳米线、纳米棒,或称