低频模拟电路第一章简介.ppt

* * * * * * * * * * * * * * 1.5.1 结型场效应管JFET:特性曲线续 输出曲线分四区： 截止区 放大区 可变电阻区 击穿区 击穿区 UGS (off) 击穿区： 对应击穿状态 特点：uDS 很大 iD急剧增加 * 1.5.1 结型管JFET :工作原理续 小结： iD 受控于uGS : ?uGS ??则 iD ?直至iD =0 JFET管随uGS值的增加经预夹断至夹断状态 iD 受uDS影响 : uDS?则iD 先增随后近似不变 预夹断前uDS?则iD ? 以预夹断状态为分界线 预夹断后uDS?则iD 不变 * 转移特性曲线 1.5.1 结型场效应管JFET:特性曲线续 指uDS为参变量，iD随uGS 变化的关系曲线 夹断电压uGS(off) 饱和漏 电流IDSS 预夹断后转移特性曲线重合 曲线方程 条件 * 1.5.2 绝缘栅场效应管IGFET 概念 特点：栅极同其余电极之间绝缘 分类：MNSFET MALSFET NMOS MOSFET PMOS 增强型 增强型 耗尽型 耗尽型 * 1.5.2 绝缘栅场效应管IGFET 结构与符号 (以增强型NMOS管为例) PMOSFET NMOSFET * 1.5.2 绝缘栅场效应管IGFET 工作原理 导电沟道： uGS=0时，无导电通道 (夹断状态) uGS? UGS(th)时，产生导电沟道(开启状态) 定义开启电压UGS(th) 为刚开始出现反型层（或刚产生导电通道） 时的栅源控压 UDD UGG * 1.5.2 绝缘栅场效应管 :工作原理续 工作原理---------uDS 影响 iD (uGS =C?0) uGSUGS(th) 开启状态 iD 0 uDS?? iD 近似不变 uGD=UGS(th) 预夹断状态 uDS? iD ? g g g d d d UGG UGG UGG UDD UDD UDD iD iD iD * 特性曲线（增强型NMOS管为例） 输出特性曲线 指uGS 为参变量，iD随uDS变化的关系曲线 1.5.2 绝缘栅场效应管 = * 1 1.5.2 绝缘栅场效应管:特性曲线续 输出特性曲线主要分三区： 截止区 放大区 可变电阻区 UGS (th) 截止区 放大区 可变电阻区 * 1.5.2 绝缘栅场效应管:特性曲线续 截止区： 对应夹断状态 特点：uGS = UGS (th) ,iD=0 * 1.5.2 绝缘栅场效应管:特性曲线续 可变电阻区： 对应预夹断前状态 特点： uDS?则iD近似线性?----- 电阻特性 uDS变化则阻值变化------ 变阻特性 * 1.5.2 绝缘栅场效应管:特性曲线续 放大区： 对应管子预夹断后夹断前的状态 特点：受控放大uGS ?则 iD ? * 小结： iD 受控于uGS : uGS?则 iD ? ， iD 受uDS影响 : uDS?则 iD 先增随后近似不变 预夹断前uDS?则iD ? 以预夹断状态为分界线 预夹断后uDS?则iD不变 1.5.2 绝缘栅场效应管 :工作原理续 * 预夹断后转移特性曲线重合 曲线方程 条件 转移特性曲线 指uDS 为参变量，iD随uGS变化的关系曲线 1.5.2 绝缘栅场效应管:特性曲线续 开启电压UGS(th) * 衬调效应（增强型NMOS管为例） 1.5.2 绝缘栅场效应管 uBS ?0且uBS 0时iD 受控于uBS 的特性 衬调效应又称 背栅效应，体效应 uBS g d s b UGG UDD * 耗尽型NMOS管 1.5.2 绝缘栅场效应管 存在原始导电沟道的FET管 uGS =0时管子内已有的导电通道 * 转移特性 输出特性 * PMOS管 特点: 导电载流子为空穴 uGS (uDS )电压极性及iD电流流 向与NMOS管相反 1.5.2 绝缘栅场效应管 FET管特性汇总表 * 1.5.3 场效应管工作状态的分析 如何确定场效应管是否工作在放大区呢？ 判断的原则： ① 判别场效应管的类型和其是否导通？ 对于N沟道，